| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第18-20页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第18-19页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第19-20页 |
| 1.2 GaN HEMT国内外研究现状及面临问题 | 第20-24页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第20-22页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第22-23页 |
| 1.2.3 面临的问题 | 第23-24页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件物理 | 第26-40页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理 | 第26-29页 |
| 2.1.1 极化效应 | 第26-27页 |
| 2.1.2 2DEG形成机理 | 第27-28页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第28-29页 |
| 2.2 欧姆接触 | 第29-33页 |
| 2.2.1 欧姆接触的基本原理 | 第30页 |
| 2.2.2 常见欧姆接触形成的方式 | 第30-32页 |
| 2.2.3 欧姆接触的测试方法 | 第32-33页 |
| 2.3 肖特基接触 | 第33-38页 |
| 2.3.1 肖特基接触的基本原理 | 第34-36页 |
| 2.3.2 肖特基接触的电流机制 | 第36-37页 |
| 2.3.3 肖特基接触的参数提取方法 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺 | 第40-54页 |
| 3.1 表面清洗对欧姆接触的影响 | 第40-42页 |
| 3.1.1 实验设计 | 第40-41页 |
| 3.1.2 表面处理对比接触电阻率的影响 | 第41-42页 |
| 3.1.3 TLM和CTLM的对比 | 第42页 |
| 3.2 表面清洗对肖特基接触的影响 | 第42-47页 |
| 3.2.1 实验设计 | 第43页 |
| 3.2.2 表面处理对栅反向漏电的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.3 表面处理对栅下表面态的影响 | 第44-47页 |
| 3.3 密集背孔工艺 | 第47-50页 |
| 3.4 AlGaN/GaN HEMT功率器件完整工艺 | 第50-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件特性与模型 | 第54-70页 |
| 4.1 DC特性 | 第54-57页 |
| 4.2 RF特性 | 第57-60页 |
| 4.3 小信号建模 | 第60-68页 |
| 4.3.1 小信号等效电路 | 第60-62页 |
| 4.3.2 参数提取 | 第62-67页 |
| 4.3.3 小信号模型的评估与验证 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 1.8-2.2GHz内匹配功率放大器的设计 | 第70-88页 |
| 5.1 功率放大器设计理论 | 第70-73页 |
| 5.1.1 功率放大器的工作模式 | 第70-72页 |
| 5.1.2 电路设计方法 | 第72-73页 |
| 5.1.3 面临的挑战 | 第73页 |
| 5.2 无源器件 | 第73-76页 |
| 5.2.1 电感 | 第73-74页 |
| 5.2.2 MIM电容 | 第74页 |
| 5.2.3 微带线 | 第74-76页 |
| 5.3 AB类GaN内匹配功率放大器设计 | 第76-87页 |
| 5.3.1 设计目标 | 第76-77页 |
| 5.3.2 内匹配电路设计 | 第77-85页 |
| 5.3.3 偏置电路的设计 | 第85-87页 |
| 5.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 结论与展望 | 第88-90页 |
| 6.1 本论文的主要内容和结论 | 第88-89页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 作者简介 | 第98-99页 |
