| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-21页 |
| 1.1 研究背景和研究意义 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 本文研究的内容及结构安排 | 第20-21页 |
| 第二章 PMOS器件NBTI效应的仿真研究 | 第21-33页 |
| 2.1 NBTI效应的产生机制 | 第21-26页 |
| 2.1.1 标准R-D模型 | 第21-24页 |
| 2.1.2 基于H_2的R-D模型 | 第24-25页 |
| 2.1.3 基于H和H_2的R-D模型 | 第25-26页 |
| 2.1.4 NBTI效应的其它模型 | 第26页 |
| 2.2 器件的仿真结构设计 | 第26-28页 |
| 2.3 NBTI导致的退化分析 | 第28-32页 |
| 2.3.1 温度对界面缺陷的影响 | 第28-29页 |
| 2.3.2 氢扩散率对界面缺陷的影响 | 第29-30页 |
| 2.3.3 栅电场强度对界面缺陷的影响 | 第30-31页 |
| 2.3.4 输出特性的退化 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 工艺波动对器件NBTI效应的影响 | 第33-49页 |
| 3.1 仿真工艺生长器件 | 第33-35页 |
| 3.1.1 阈值电压的蒙特卡罗分析 | 第33-34页 |
| 3.1.2 仿真步骤 | 第34-35页 |
| 3.2 STI工艺的波动对NBTI效应的影响 | 第35-41页 |
| 3.2.1 STI应力变化对漏极电流的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2 STI宽度的变化对NBTI效应的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.3 STI侧墙角度的变化对NBTI效应的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 Halo工艺波动对NBTI效应的影响 | 第41-46页 |
| 3.3.1 Halo注入角度的变化对NBTI效应影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 Halo注入剂量的变化对NBTI效应影响 | 第43-45页 |
| 3.3.3 Halo注入能量的变化对NBTI效应影响 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 测试结构和实验方案的设计 | 第49-57页 |
| 4.1 测试结构设计 | 第49-51页 |
| 4.1.1 不同尺寸的结构 | 第49-50页 |
| 4.1.2 蛇形线的结构 | 第50-51页 |
| 4.2 版图的验证和仿真 | 第51-52页 |
| 4.3 NBTI测试实验设计 | 第52-55页 |
| 4.3.1 加速应力试验 | 第52页 |
| 4.3.2 应力测试方案 | 第52-54页 |
| 4.3.3 温度应力的确定 | 第54页 |
| 4.3.4 栅压应力的确定 | 第54页 |
| 4.3.5 应力时间的确定 | 第54-55页 |
| 4.3.6 阈值电压的测试 | 第55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 纳米PMOS器件的NBTI实验研究 | 第57-71页 |
| 5.1 器件I-V特性的退化 | 第57-60页 |
| 5.1.1 输出特性的退化 | 第57-58页 |
| 5.1.2 线性区跨导的退化 | 第58-59页 |
| 5.1.3 转移特性的退化 | 第59-60页 |
| 5.2 器件静态参数退化与NBTI应力作用时间的关系 | 第60-63页 |
| 5.2.1 阈值电压的漂移与应力作用时间的关系 | 第60-61页 |
| 5.2.2 饱和漏极电流的退化与应力作用时间的关系 | 第61-62页 |
| 5.2.3 最大线性区跨导的退化与应力作用时间的关系 | 第62-63页 |
| 5.3 器件的寿命评估 | 第63-70页 |
| 5.3.1 温度和阈值电压退化之间的关系 | 第64-65页 |
| 5.3.2 栅压和阈值电压退化之间的关系 | 第65-67页 |
| 5.3.3 栅宽和阈值电压退化之间的关系 | 第67-68页 |
| 5.3.4 沟道长度和阈值电压退化之间的关系 | 第68-69页 |
| 5.3.5 PMOS器件的寿命公式 | 第69-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结和展望 | 第71-73页 |
| 6.1 本文总结 | 第71-72页 |
| 6.2 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
