| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 GaN材料及其HEMT器件研究进展 | 第16-17页 |
| 1.1.1 GaN材料简介 | 第16-17页 |
| 1.1.2 GaN基HEMT器件的研究进展 | 第17页 |
| 1.2 GaN基HEMT器件温度可靠性研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2.1 变温特性与高温热存储 | 第18-19页 |
| 1.2.2 GaN基HEMT器件结温测量及建模 | 第19-20页 |
| 1.3 本论文的主要工作及安排 | 第20-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT高温特性及肖特基电流输运机制的研究 | 第22-38页 |
| 2.1 器件制造和工艺 | 第22-24页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件高温直流特性研究 | 第24-30页 |
| 2.2.1 温度对GaN基器件直流I-V特性的影响 | 第24-26页 |
| 2.2.2 温度对GaN基HEMT器件肖特基特性的影响 | 第26-27页 |
| 2.2.3 温度对欧姆接触特性的影响 | 第27-28页 |
| 2.2.4 变温C-V特性 | 第28-30页 |
| 2.3 肖特基正向电流输运机制的研究 | 第30-36页 |
| 2.3.1 电流输运机制 | 第30-31页 |
| 2.3.2 肖特基势垒高度及理想因子提取 | 第31-32页 |
| 2.3.3 肖特基串联电阻的提取 | 第32-34页 |
| 2.3.4 肖特基正向电流输运机制研究 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT结温测试 | 第38-50页 |
| 3.1 结温测试技术简介 | 第38-42页 |
| 3.1.1 直接接触法 | 第38-40页 |
| 3.1.2 光学方法 | 第40-41页 |
| 3.1.3 电学方法 | 第41-42页 |
| 3.2 MacAlister电学测试 | 第42-46页 |
| 3.2.1 实验器件及实验方法 | 第43-44页 |
| 3.2.2 实验结果讨论 | 第44-46页 |
| 3.3 Kuzmik电学测试 | 第46-49页 |
| 3.3.1 自热效应对器件直流特性的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.2 实验结果讨论 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件结温建模与热设计 | 第50-62页 |
| 4.1 GaN基HEMT器件2D仿真模型的建立及电学特性分析 | 第50-53页 |
| 4.1.1 GaN基HEMT器件2D仿真模型 | 第50-52页 |
| 4.1.2 GaN基HEMT器件2D仿真结果分析 | 第52-53页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT器件的3D有限元热模型 | 第53-59页 |
| 4.2.1 仿真模型及过程 | 第53-56页 |
| 4.2.2 GaN基HEMT器件3D结温仿真结果分析 | 第56-59页 |
| 4.3 仿真结果与直流方法比较 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 本文的结论 | 第62-63页 |
| 5.2 未来的工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 作者简介 | 第70页 |
