| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 非易失性存储器简介 | 第18-20页 |
| 1.2.1 Flash技术简介 | 第18页 |
| 1.2.2 新一代非易失性存储技术简介 | 第18-20页 |
| 1.3 RRAM研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3.1 RRAM研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3.2 国内外SiOx薄膜RRAM研究现状 | 第21页 |
| 1.4 选题意义及内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 RRAM综述 | 第23-35页 |
| 2.1 RRAM的基本结构及材料 | 第23-25页 |
| 2.1.1 常见的阻变层材料 | 第23-24页 |
| 2.1.2 电极材料对阻变行为的影响 | 第24-25页 |
| 2.2 RRAM的基本工作原理及主要性能参数 | 第25-27页 |
| 2.2.1 单极性与双极性电阻转变 | 第25页 |
| 2.2.2 阻变存储器主要性能参数 | 第25-27页 |
| 2.3 阻变机制总结 | 第27-29页 |
| 2.4 RRAM常见的导电机制 | 第29-32页 |
| 2.4.1 隧穿机制(Tunneling) | 第29-30页 |
| 2.4.2 法兰克福-普尔发射机制 | 第30-31页 |
| 2.4.3 空间电荷限制电流机制 | 第31页 |
| 2.4.4 肖特基发射(Schottky Emission) | 第31-32页 |
| 2.4.5 欧姆效应(Ohmic) | 第32页 |
| 2.5 RRAM研究遇到的挑战 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 基于SiOx的阻变存储器阻变机理研究 | 第35-53页 |
| 3.1 器件结构及测试方法 | 第35页 |
| 3.2 实验结果及分析 | 第35-41页 |
| 3.2.1 基本Ⅰ-Ⅴ特性 | 第35-37页 |
| 3.2.2 基于SiOx的阻变存储器阻变机制分析 | 第37-41页 |
| 3.3 器件可靠性分析 | 第41-46页 |
| 3.3.1 一致性(Uniformity) | 第41-43页 |
| 3.3.2 耐受性(Endurance) | 第43-45页 |
| 3.3.3 保持特性(Retention) | 第45-46页 |
| 3.4 影响器件特性的因素分析 | 第46-52页 |
| 3.4.1 面积依赖特性分析 | 第46-47页 |
| 3.4.2 限制电流依赖特性分析 | 第47-49页 |
| 3.4.3 Vstop依赖特性 | 第49-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 TiN/SiOx/Pt结构阻变存储器阻变特性仿真 | 第53-61页 |
| 4.1 仿真基本模型 | 第53-54页 |
| 4.2 偏微分方程 | 第54-55页 |
| 4.3 Reset/Set过程模拟 | 第55-60页 |
| 4.3.1 Reset过程模拟 | 第55-59页 |
| 4.3.2 Set过程模拟 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-65页 |
| 5.1 总结 | 第61-62页 |
| 5.2 今后工作展望 | 第62-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71页 |
| 1. 基本情况 | 第71页 |
| 2. 教育背景 | 第71页 |
| 3. 在学校期间的研究成果 | 第71页 |