| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 发光二极管的特点 | 第16-18页 |
| 1.3 紫外LED及其应用 | 第18-19页 |
| 1.4 紫外LED的国内外研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4.1 国外研究现状 | 第19页 |
| 1.4.2 国内研究现状 | 第19-20页 |
| 1.5 论文研究内容及结构 | 第20-22页 |
| 第二章 GaN基半导体材料简介 | 第22-30页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 GaN基半导体材料的性质 | 第22-25页 |
| 2.2.1 晶体结构 | 第22-23页 |
| 2.2.2 能带结构 | 第23页 |
| 2.2.3 物理特性 | 第23页 |
| 2.2.4 化学性质 | 第23-24页 |
| 2.2.5 电学性质 | 第24-25页 |
| 2.2.6 光学性质 | 第25页 |
| 2.3 GaN基半导体材料的缺陷 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-30页 |
| 第三章 GaN基半导体材料的外延 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 MOCVD系统简介 | 第31-32页 |
| 3.2.1 MOCVD生长系统及原理 | 第31页 |
| 3.2.2 MOCVD系统的特点 | 第31页 |
| 3.2.3 MOCVD技术的生长机理 | 第31-32页 |
| 3.2.4 MOCVD外延GaN基半导体材料的工艺流程 | 第32页 |
| 3.3 GaN基半导体材料外延生长中衬底的选择 | 第32-36页 |
| 3.3.1 衬底选择依据 | 第33页 |
| 3.3.2 常用衬底的简单介绍 | 第33-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 GaN基多量子阱结构LED | 第38-44页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 量子阱结构及其发光机理 | 第38-39页 |
| 4.2.1 量子阱的结构 | 第38页 |
| 4.2.2 量子阱结构的发光机理 | 第38-39页 |
| 4.3 GaN基多量子阱结构LED的研究进展 | 第39页 |
| 4.4 GaN基多量子阱结构LED所面临的问题 | 第39-42页 |
| 4.4.1 极化效应的影响 | 第40-41页 |
| 4.4.2 晶体中的缺陷 | 第41页 |
| 4.4.3 载流子输运问题 | 第41-42页 |
| 4.4.4 In GaN阱层载流子的复合 | 第42页 |
| 4.5 提高GaN基多量子阱结构LED亮度的措施 | 第42-43页 |
| 4.5.1 使用晶格更加匹配的衬底 | 第42页 |
| 4.5.2 垒层采用InAlGaN材料 | 第42-43页 |
| 4.5.3 外延半极性和非极性面GaN | 第43页 |
| 4.5.4 量子阱结构的调节 | 第43页 |
| 4.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 GaN基紫外LED的多量子阱结构优化 | 第44-70页 |
| 5.1 引言 | 第44-45页 |
| 5.2 InGaN/AlGaN多量子阱结构优化实验部分 | 第45-47页 |
| 5.2.1 实验准备 | 第45-46页 |
| 5.2.2 实验样品参数 | 第46-47页 |
| 5.3 梯度增加阱宽对比实验数据与分析 | 第47-59页 |
| 5.3.1 高分辨率X射线衍射（HRXRD）测试结果 | 第47-53页 |
| 5.3.2 AFM测试结果 | 第53-54页 |
| 5.3.3 PL测试结果 | 第54-57页 |
| 5.3.4 EL测试结果 | 第57-59页 |
| 5.4 梯度增加阱层掺In量实验数据与分析 | 第59-69页 |
| 5.4.1 HRXRD测试结果 | 第59-64页 |
| 5.4.2 AFM测试结果 | 第64-65页 |
| 5.4.3 PL测试结果 | 第65-67页 |
| 5.4.4 EL测试结果 | 第67-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |
