| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第11-14页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第14-17页 |
| 第2章 AlGaN/GaN材料性质及器件的工作原理 | 第17-29页 |
| 2.1 GaN材料特性 | 第17-21页 |
| 2.1.1 晶格结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 极化效应 | 第18-20页 |
| 2.1.3 材料制备 | 第20-21页 |
| 2.2 工作原理与器件结构 | 第21-28页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第21-23页 |
| 2.2.2 器件结构 | 第23-25页 |
| 2.2.3 新型结构 | 第25-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 AlGaN/GaN器件关键技术的研究 | 第29-45页 |
| 3.1 外延片测试 | 第29-32页 |
| 3.1.1 初始参数测试 | 第29-30页 |
| 3.1.2 材料缺陷测试 | 第30-32页 |
| 3.2 隔离刻蚀 | 第32-35页 |
| 3.2.1 浅隔离刻蚀优化 | 第33-34页 |
| 3.2.2 深隔离刻蚀优化 | 第34-35页 |
| 3.3 欧姆接触研究 | 第35-42页 |
| 3.3.1 欧姆接触理论 | 第36-38页 |
| 3.3.2 表面处理 | 第38页 |
| 3.3.3 退火条件 | 第38-41页 |
| 3.3.4 材料损伤分析 | 第41-42页 |
| 3.4 肖特基接触研究 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 AlGaN/GaN SBD的制备和分析 | 第45-57页 |
| 4.1 版图设计 | 第45-46页 |
| 4.2 AlGaN/GaN SBD器件工艺介绍 | 第46-49页 |
| 4.2.1 器件工艺制备流程 | 第46-48页 |
| 4.2.2 外延材料及器件结构 | 第48-49页 |
| 4.3 正向导通特性研究 | 第49-55页 |
| 4.3.1 电极布局对SBD正向导通特性的影响 | 第49-52页 |
| 4.3.2 硅衬底偏压对SBD导通特性的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.3 插指器件结构 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第5章 纳米栅AlGaN/GaN HEMT器件研制 | 第57-63页 |
| 5.1 高频AlGaN/GaN HEMT器件研究现状 | 第57-58页 |
| 5.2 器件的设计与制备 | 第58-62页 |
| 5.2.1 版图设计 | 第58-59页 |
| 5.2.2 制备工艺流程 | 第59-60页 |
| 5.2.3 制备分析 | 第60-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第6章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
