| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·选题背景与研究目的 | 第9-10页 |
| ·基本理论 | 第10-13页 |
| ·集成电路的寿命周期特征 | 第10-11页 |
| ·集成电路可靠性保障数据技术 | 第11-13页 |
| ·本论文要研究和解决的问题 | 第13-14页 |
| 2 集成电路可靠性保障数据技术的基本理论 | 第14-36页 |
| ·环境应力筛选 | 第14-19页 |
| ·环境应力筛选的原理和作用 | 第14页 |
| ·集成电路筛选的一般方法 | 第14-15页 |
| ·集成电路筛选方法的调整 | 第15-18页 |
| ·老化技术 | 第18-19页 |
| ·测试技术 | 第19-23页 |
| ·工艺参数的测试技术 | 第19-21页 |
| ·电路的测试技术 | 第21-22页 |
| ·测试的可靠性 | 第22-23页 |
| ·数据分析评价技术 | 第23-29页 |
| ·元器件的质量和成品率的关系 | 第23页 |
| ·元器件的质量保证和评价技术 | 第23-29页 |
| ·半导体器件的失效分析 | 第29-32页 |
| ·半导体器件失效分析的一般程序 | 第29-30页 |
| ·半导体器件的失效模式 | 第30-31页 |
| ·半导体器件的失效机理 | 第31-32页 |
| ·可靠性增长数据技术 | 第32-36页 |
| ·可靠性增长 | 第32-33页 |
| ·可靠性增长试验技术 | 第33-35页 |
| ·可靠性增长模型 | 第35-36页 |
| 3. 老化和测试技术的结合 | 第36-42页 |
| ·系统原理框图 | 第36-37页 |
| ·TM老化监测系统的设计 | 第37-38页 |
| ·对TM集成电路的老化监测 | 第38-40页 |
| ·老化过程中动态监测的优点 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 4. TM集成电路测试系统的设计 | 第42-47页 |
| ·TM电路的测试原理框图 | 第42页 |
| ·电路的参数测试 | 第42-46页 |
| ·静态电流的测试 | 第42-43页 |
| ·输入端DT，CP，FS，FP，INH，IN的漏电流的测试 | 第43-44页 |
| ·输出端电流及长短复位信号LP，SP的时序测量 | 第44页 |
| ·分频输出端G27的测试 | 第44-45页 |
| ·电路擦写功能及擦写脉冲的测试 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 5. 数据技术在MOS集成电路工艺控制中的应用 | 第47-57页 |
| ·器件的原理 | 第47-48页 |
| ·TM的工艺过程 | 第48页 |
| ·工艺参数测试 | 第48-49页 |
| ·工序能力的评价 | 第49-52页 |
| ·薄栅工序能力评价 | 第49-51页 |
| ·MNOS管关键参数评价 | 第51-52页 |
| ·进行PDA控制 | 第52页 |
| ·根据电路原理建立故障树 | 第52-53页 |
| ·典型失效分析 | 第53-55页 |
| ·典型失效现象 | 第53-54页 |
| ·原因分析 | 第54页 |
| ·失效验证 | 第54-55页 |
| ·TM集成电路的抗静电保护设计和控制 | 第55-57页 |
| ·抗静电保护设计 | 第55页 |
| ·工艺控制采取的措施 | 第55-56页 |
| ·工艺可靠性设计 | 第56页 |
| ·电路转运和试验过程中的静电防护 | 第56页 |
| ·结果 | 第56-57页 |
| 6. TM集成电路可靠性增长试验与评估 | 第57-63页 |
| ·试验的目的 | 第57页 |
| ·模型选取 | 第57页 |
| ·试验的方法 | 第57-58页 |
| ·试验与评估 | 第58-61页 |
| ·分析改进 | 第58-59页 |
| ·纠正措施 | 第59-61页 |
| ·试验与评估 | 第61页 |
| ·结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |