| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 1 绪论 | 第11-52页 |
| ·论文选题背景 | 第11-21页 |
| ·集成电路及其发展 | 第11-14页 |
| ·集成电路制造过程简介 | 第14-15页 |
| ·硅片全局平坦化技术的需求 | 第15-17页 |
| ·CMP技术及其特点 | 第17-19页 |
| ·CMP技术研究现状和发展趋势 | 第19-21页 |
| ·硅片CMP材料去除机理研究现状 | 第21-46页 |
| ·概述 | 第21-23页 |
| ·CMP化学反应机理 | 第23-28页 |
| ·CMP机械去除机理研究现状 | 第28-46页 |
| ·硅片CMP机械作用机理研究现状分析 | 第46-49页 |
| ·本课题的来源、研究目的与意义 | 第49页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第49-52页 |
| 2 硅片CMP系统主要构成元素的几何与力学性能研究 | 第52-67页 |
| ·抛光对象的表面形貌及力学性质 | 第52-57页 |
| ·单晶硅片的表面形貌及力学性质 | 第52-54页 |
| ·抛光前沉积铜的硅片表面形貌及力学性质 | 第54-57页 |
| ·抛光垫表面形貌及表面力学性质 | 第57-63页 |
| ·抛光液中磨粒的特性 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 3 硅片与抛光垫之间的接触机制研究 | 第67-112页 |
| ·硅片与抛光垫之间接触机制的判别方法研究 | 第67-70页 |
| ·硅片化学机械抛光过程中摩擦行为研究 | 第70-84页 |
| ·硅片CMP过程中硅片表面摩擦力及摩擦力分布模型建立 | 第71-73页 |
| ·硅片CMP摩擦行为实验 | 第73-74页 |
| ·硅片CMP摩擦行为分析 | 第74-78页 |
| ·硅片表面材料对硅片CMP时摩擦系数的影响 | 第78-79页 |
| ·CMP过程中硅片表面上的摩擦力分布研究 | 第79-81页 |
| ·硅片CMP摩擦特性曲线(Stribeck)与润滑状态判别 | 第81-84页 |
| ·硅片CMP中材料去除行为及硅片表面材料磨损机制研究 | 第84-98页 |
| ·硅片表面材料去除总量模型建立 | 第84-87页 |
| ·硅片CMP材料去除分量实验及交互作用分析 | 第87-96页 |
| ·硅片表面材料磨损机制研究 | 第96-98页 |
| ·硅片CMP过程的接触形式确立及接触模型 | 第98-110页 |
| ·接触形式确立及接触模型 | 第98-99页 |
| ·抛光垫微凸体与硅片表面的接触载荷 | 第99-106页 |
| ·硅片表面接触载荷分布 | 第106-107页 |
| ·磨粒与硅片表面及抛光垫表面的接触 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 4 磨粒在硅片表面上的运动轨迹研究 | 第112-134页 |
| ·硅片化学机械抛光机的类型及运动形式 | 第112-113页 |
| ·磨粒在抛光垫表面分布研究 | 第113-116页 |
| ·硅片CMP时磨粒在硅片表面上运动轨迹模型建立 | 第116-120页 |
| ·A型抛光机磨粒在硅片上的运动轨迹 | 第116-118页 |
| ·B型抛光机磨粒在硅片上的运动轨迹 | 第118页 |
| ·C型抛光机磨粒在硅片上的运动轨迹 | 第118-119页 |
| ·D型抛光机磨粒在硅片表面运动轨迹 | 第119-120页 |
| ·基于磨粒运动轨迹的硅片CMP材料去除率定性分析 | 第120-127页 |
| ·硅片与抛光垫转速、转向对硅片表面材料去除率的影响 | 第120-123页 |
| ·抛光头摆动参数对硅片表面材料去除率的影响 | 第123-125页 |
| ·抛光机的运动形式对磨粒在硅片表面轨迹长度的影响 | 第125-127页 |
| ·基于磨粒运动轨迹的硅片表面材料去除非均匀性定性分析 | 第127-132页 |
| ·硅片与抛光垫转速、转向对硅片表面材料去除非均匀性的影响 | 第127-129页 |
| ·抛光头摆动参数对硅片表面材料去除非均匀性的影响 | 第129-130页 |
| ·抛光机的运动形式对磨粒在硅片表面运动轨迹分布的影响 | 第130-132页 |
| ·本章小结 | 第132-134页 |
| 5 基于磨粒运动轨迹的硅片CMP材料去除率及材料去除非均匀性研究 | 第134-163页 |
| ·基于磨粒运动轨迹的硅片CMP材料去除率研究 | 第134-145页 |
| ·磨粒在硅片表面上的轨迹长度 | 第134-136页 |
| ·硅片表面材料去除率模型建立及其计算 | 第136-138页 |
| ·单晶硅片CMP材料去除率实验 | 第138-142页 |
| ·铜CMP材料去除率分析 | 第142-143页 |
| ·抛光机的运动形式对硅片CMP时材料去除率的影响分析 | 第143-145页 |
| ·基于磨粒运动轨迹的硅片CMP材料去除非均匀性研究 | 第145-157页 |
| ·基于像素统计原理的硅片CMP材料去除非均匀性建模 | 第146-148页 |
| ·硅片CMP运动参数对WIWNU的影响分析 | 第148-150页 |
| ·硅片CMP时机床运动形式对片内非均匀性的影响研究 | 第150-152页 |
| ·硅片CMP材料去除非均匀性实验 | 第152-157页 |
| ·硅片CMP材料去除非均匀性形成机制研究 | 第157-161页 |
| ·硅片表面相对速度分布非均匀性分析 | 第158-161页 |
| ·硅片表面摩擦力分布非均匀性分析 | 第161页 |
| ·硅片与抛光垫接触压力分布非均匀性分析 | 第161页 |
| ·硅片表面磨粒运动轨迹分布非均匀性分析 | 第161页 |
| ·硅片CMP材料去除非均匀性形成机制分析 | 第161页 |
| ·本章小结 | 第161-163页 |
| 6 结论与展望 | 第163-166页 |
| ·结论 | 第163-165页 |
| ·进一步工作展望 | 第165-166页 |
| 参考文献 | 第166-174页 |
| 创新点摘要 | 第174-175页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第175-177页 |
| 致谢 | 第177-178页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第178页 |
