| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-36页 |
| ·论文研究背景 | 第13-21页 |
| ·课题来源 | 第13页 |
| ·研究背景 | 第13-14页 |
| ·化学机械抛光技术及其影响因素 | 第14-15页 |
| ·化学机械抛光的发展及其存在的问题 | 第15-18页 |
| ·化学机械抛光的平坦化原理 | 第18-21页 |
| ·国内外对CMP材料去除机理的研究现状 | 第21-33页 |
| ·连续去除机理 | 第22-27页 |
| ·原子/分子去除机理 | 第27-33页 |
| ·本课题的研究内容与意义 | 第33-36页 |
| ·研究内容 | 第33-34页 |
| ·研究意义 | 第34-36页 |
| 第二章 材料单分子层去除机理的理论与试验依据 | 第36-70页 |
| ·化学机械抛光材料的特性 | 第36-38页 |
| ·芯片 | 第36-37页 |
| ·抛光垫 | 第37-38页 |
| ·磨粒特性 | 第38页 |
| ·基于分子量级的化学机械抛光界面动力学模型 | 第38-44页 |
| ·模型建立 | 第39-41页 |
| ·参数确定 | 第41-42页 |
| ·机理探讨 | 第42-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| ·材料单分子去除的微观试验 | 第44-50页 |
| ·AFM试验 | 第44-46页 |
| ·纳米压痕试验 | 第46-47页 |
| ·SE试验 | 第47-49页 |
| ·CMP试验 | 第49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| ·材料去除速率的量级估算 | 第50-55页 |
| ·抛光垫/芯片的接触 | 第50-52页 |
| ·材料去除速率 | 第52-53页 |
| ·讨论 | 第53-55页 |
| ·结论 | 第55页 |
| ·芯片/磨粒/抛光垫的微观接触 | 第55-63页 |
| ·模型的建立 | 第56-58页 |
| ·单个磨粒的CMP去除机理 | 第58-60页 |
| ·试验分析与讨论 | 第60-63页 |
| ·结论 | 第63页 |
| ·考虑粘着力的大变形接触 | 第63-68页 |
| ·模型建立 | 第64-66页 |
| ·试验结果与讨论 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第三章 化学机械抛光的协调效应模型 | 第70-83页 |
| ·协调效应(交互作用)模型的研究进展 | 第70-71页 |
| ·模型的建立 | 第71-76页 |
| ·化学作用 | 第72-73页 |
| ·机械作用 | 第73-74页 |
| ·单个磨粒所受的外力 | 第74-75页 |
| ·单个磨粒的去除百分比 | 第75页 |
| ·材料去除速率 | 第75-76页 |
| ·试验结果与讨论 | 第76-82页 |
| ·试验分析 | 第76-79页 |
| ·理论分析 | 第79-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第四章 磨粒大小和浓度对材料去除速率的影响规律 | 第83-101页 |
| ·表面原子结合能的计算 | 第83-89页 |
| ·芯片表面原子的结合能 | 第83-86页 |
| ·单个磨粒的材料去除速率 | 第86页 |
| ·试验验证和讨论 | 第86-88页 |
| ·结论 | 第88-89页 |
| ·磨粒大小对材料去除速率的影响 | 第89-96页 |
| ·模型的假设 | 第89页 |
| ·材料去除速率 | 第89-90页 |
| ·参数确定 | 第90-92页 |
| ·试验结果与讨论 | 第92-95页 |
| ·化学机械的协调效应分析 | 第95页 |
| ·材料去除速率的估算 | 第95-96页 |
| ·磨粒浓度对材料去除速率的影响 | 第96-100页 |
| ·模型的假设 | 第96-97页 |
| ·单个粗糙峰的有效磨粒数 | 第97-98页 |
| ·参与CMP的磨粒数 | 第98页 |
| ·方程的无量纲化 | 第98页 |
| ·材料去除速率 | 第98-99页 |
| ·试验和讨论 | 第99-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 第五章 考虑新鲜分子去除的材料单分子层递推概率模型 | 第101-108页 |
| ·模型的建立 | 第101-103页 |
| ·动态平衡方程 | 第102-103页 |
| ·单个磨粒的分子去除百分比 | 第103页 |
| ·试验与讨论 | 第103-107页 |
| ·模型比较 | 第103-104页 |
| ·讨论 | 第104-106页 |
| ·试验结果 | 第106-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第六章 化学作用对铜CMP去除影响的数学模型 | 第108-117页 |
| ·模型建立 | 第108-112页 |
| ·反应机理 | 第108-109页 |
| ·表面组成百分比 | 第109-110页 |
| ·材料去除速率 | 第110-112页 |
| ·结果与讨论 | 第112-116页 |
| ·氧化剂浓度的影响 | 第112-114页 |
| ·螯合剂浓度的影响 | 第114-115页 |
| ·缓蚀剂浓度的影响 | 第115-116页 |
| ·结论 | 第116-117页 |
| 第七章 结语与展望 | 第117-120页 |
| ·创新点 | 第117页 |
| ·本文主要结论 | 第117-118页 |
| ·研究展望 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-135页 |
| 攻读博士研究期间撰写的论文 | 第135-136页 |