自由碳含量及其结构对SiCN陶瓷电性能的影响
| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 课题来源及研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第11-25页 |
| 1.2.1 先驱体衍生陶瓷的制备 | 第11-18页 |
| 1.2.2 PDC电性能研究 | 第18-25页 |
| 1.2.3 PDCs在传感器方向的应用 | 第25页 |
| 1.3 国内外研究现状评述 | 第25-26页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第26-27页 |
| 第2章 实验材料与实验方法 | 第27-33页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 实验原料与试剂 | 第27-28页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第27页 |
| 2.2.2 实验试剂 | 第27-28页 |
| 2.3 实验设备 | 第28页 |
| 2.4 实验与测试方法 | 第28-33页 |
| 2.4.1 先驱体的改性 | 第28页 |
| 2.4.2 有机先驱体胚体的制备 | 第28-29页 |
| 2.4.3 组织结构分析 | 第29-31页 |
| 2.4.4 电导率的测量 | 第31-33页 |
| 第3章 先驱体的改性以及陶瓷的制备 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 先驱体的改性 | 第33-41页 |
| 3.2.1 反应温度以及反应时间的确定 | 第33-35页 |
| 3.2.2 不同DVB含量的先驱体分析 | 第35-41页 |
| 3.3 先驱体衍生陶瓷的制备 | 第41-46页 |
| 3.3.1 粉末压制成型 | 第41-43页 |
| 3.3.2 液相注模成型 | 第43-44页 |
| 3.3.3 烧结工艺的确定 | 第44-45页 |
| 3.3.4 不同制备工艺的对比 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 SiCN陶瓷的结构演变研究 | 第47-58页 |
| 4.0 引言 | 第47页 |
| 4.1 陶瓷的宏观物理性能 | 第47页 |
| 4.2 SiCN陶瓷元素分析 | 第47-48页 |
| 4.3 微观形貌分析 | 第48-49页 |
| 4.4 XRD分析 | 第49-50页 |
| 4.5 拉曼光谱分析 | 第50-54页 |
| 4.6 c1s光电子能谱分析 | 第54-55页 |
| 4.7 Si2p光电能谱分析 | 第55-57页 |
| 4.8 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 自由碳对SiCN陶瓷电性能的影响 | 第58-75页 |
| 5.1 引言 | 第58页 |
| 5.2 陶瓷的常温电性能 | 第58-61页 |
| 5.2.1 自由碳含量的影响 | 第59页 |
| 5.2.2 自由碳结构的影响 | 第59-61页 |
| 5.3 陶瓷的高温电性能 | 第61-64页 |
| 5.2.1 SiCN陶瓷温阻特性测试原理 | 第61-63页 |
| 5.2.2 温阻特性测试 | 第63-64页 |
| 5.4 自由碳含量对于导电机理的影响 | 第64-74页 |
| 5.3.1 紫外荧光分光谱分析 | 第64-69页 |
| 5.3.2 温阻特性拟合 | 第69-73页 |
| 5.3.3 自由碳含量对于SiCN带尾的影响 | 第73-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
