| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第18-19页 |
| 缩略语对照表 | 第19-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-46页 |
| 1.1 TFET的工作机理 | 第22-27页 |
| 1.2 TFET器件所面临的挑战 | 第27-31页 |
| 1.2.1 TFET器件的开态电流受限因素 | 第27-28页 |
| 1.2.2 TFET器件的双极效应 | 第28页 |
| 1.2.3 TFET器件的SS性能退化因素 | 第28-31页 |
| 1.3 TFET的发展现状 | 第31-43页 |
| 1.3.1 新结构TFET的优化 | 第31-36页 |
| 1.3.2 新材料TFET的优化 | 第36-40页 |
| 1.3.3 隧穿机理TFET的优化 | 第40-43页 |
| 1.4 本文的主要工作和内容安排 | 第43-46页 |
| 第二章 双源TFET的结构和性能分析 | 第46-78页 |
| 2.1 双源U型TFET的提出 | 第46-52页 |
| 2.1.2 双源U型栅结构分析 | 第47-52页 |
| 2.2 双源TFET器件性能分析 | 第52-77页 |
| 2.2.1 双源TFET器件的结构分析 | 第53-58页 |
| 2.2.2 双源TFET器件的电容分析 | 第58-60页 |
| 2.2.3 锗硅在源区对U-TFET器件电学特性的影响 | 第60-62页 |
| 2.2.4 各区掺杂浓度对U-TFET器件性能的影响 | 第62-65页 |
| 2.2.5 V_(ds)对U-TFET器件电学性能的影响 | 第65-66页 |
| 2.2.6 界面陷阱对双源U-TFET器件IV特性的影响 | 第66-74页 |
| 2.2.7 界面陷阱对双源U-TFET电容的影响 | 第74-77页 |
| 2.3 本章小节 | 第77-78页 |
| 第三章 隧穿介质型TFET的结构和性能分析 | 第78-92页 |
| 3.1 TD-TFET器件的提出 | 第78-79页 |
| 3.2 TD-TFET器件的物理模型分析 | 第79-83页 |
| 3.3 TD-TFET侧墙对势垒隧穿的影响 | 第83-86页 |
| 3.4 TD-TFET器件结构和电学特性分析 | 第86-91页 |
| 3.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 第四章 三栅沟道绝缘EHB-TFET的结构和性能分析 | 第92-118页 |
| 4.1 EHB-TFET的结构分析 | 第92-101页 |
| 4.1.2 不同栅介质对器件的亚阈值特性的影响 | 第98-101页 |
| 4.2 锗硅在源区和沟道以及各区掺杂浓度对器件电学特性的影响 | 第101-109页 |
| 4.2.1 锗硅在源区对器件电学特性的影响 | 第101-103页 |
| 4.2.2 锗硅在沟道对器件电学特性的影响 | 第103-105页 |
| 4.2.3 各区掺杂浓度,漏区长度的变化和Underlap距离对器件性能的影响 | 第105-109页 |
| 4.3 Back-Gate对EHB-TFET器件电学性能的影响 | 第109-112页 |
| 4.4 Underlap长度对EHB-TFET器件电学特性的影响 | 第112-114页 |
| 4.5 EHB-TFET的栅泄漏电流 | 第114-117页 |
| 4.6 本章小节 | 第117-118页 |
| 第五章 陷阱辅助隧穿对TFET的影响 | 第118-128页 |
| 5.1 TAT对TFET器件的影响 | 第118-123页 |
| 5.2 栅泄漏电流对TFET器件的影响 | 第123-126页 |
| 5.3 温度对TFET的影响 | 第126-127页 |
| 5.4 本章小节 | 第127-128页 |
| 第六章 总结和展望 | 第128-130页 |
| 参考文献 | 第130-150页 |
| 致谢 | 第150-152页 |
| 作者简介 | 第152-153页 |
