| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第17-19页 |
| 缩略语对照表 | 第19-23页 |
| 第一章 绪论 | 第23-33页 |
| 1.1 氮化镓材料及器件研究背景 | 第23-25页 |
| 1.2 氮化镓异质结及器件研究进展 | 第25-28页 |
| 1.3 当前存在的问题 | 第28-30页 |
| 1.4 本论文的研究内容和安排 | 第30-33页 |
| 第二章 器件工作原理及工艺 | 第33-51页 |
| 2.1 GaN基材料极化效应 | 第33-35页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理 | 第35-38页 |
| 2.3 GaN基异质结材料生长以及HEMT器件工艺 | 第38-44页 |
| 2.3.1 GaN基异质结材料生长 | 第38页 |
| 2.3.2 GaN基HEMT器件制备工艺 | 第38-44页 |
| 2.4 频率特性参数讨论 | 第44-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-51页 |
| 第三章 AlGaN/GaN毫米波器件结构研究 | 第51-75页 |
| 3.1 器件仿真模型 | 第51-54页 |
| 3.1.1 器件仿真方程 | 第51-52页 |
| 3.1.2 迁移率模型 | 第52-53页 |
| 3.1.3 产生复合模型 | 第53-54页 |
| 3.2 栅结构研究 | 第54-61页 |
| 3.2.1 栅长设计 | 第55-56页 |
| 3.2.2 栅跟高度及栅帽宽度设计 | 第56-58页 |
| 3.2.3 钝化层结构设计 | 第58-61页 |
| 3.3 短沟道效应研究 | 第61-69页 |
| 3.3.1 短沟道效应对直流特性的影响 | 第61-65页 |
| 3.3.2 短沟道效应对频率特性的影响 | 第65-66页 |
| 3.3.3 势垒层厚度设计 | 第66-69页 |
| 3.4 器件源漏间距研究 | 第69-72页 |
| 3.4.1 栅源间距设计 | 第69-70页 |
| 3.4.2 栅漏间距设计 | 第70-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-75页 |
| 第四章 电子束光刻研究 | 第75-93页 |
| 4.1 电子束光刻概要 | 第75-76页 |
| 4.2 电子束光刻流程 | 第76-79页 |
| 4.2.1 电子束光刻胶介绍 | 第76-78页 |
| 4.2.2 电子束光刻流程 | 第78-79页 |
| 4.3 电子束光刻工艺开发 | 第79-91页 |
| 4.3.1 电荷积累效应 | 第79-81页 |
| 4.3.2 拼接工艺优化 | 第81-82页 |
| 4.3.3 套刻工艺优化 | 第82-83页 |
| 4.3.4 曝光剂量优化以及光刻线条极限研究 | 第83-86页 |
| 4.3.5 浮空T型栅开发 | 第86-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 短沟道效应研究 | 第93-111页 |
| 5.1 薄势垒结构特性研究 | 第93-95页 |
| 5.2 凹槽刻蚀工艺研究 | 第95-97页 |
| 5.3 短沟道效应对器件直流特性影响 | 第97-100页 |
| 5.4 刻蚀深度对器件性能影响 | 第100-108页 |
| 5.4.1 刻蚀深度对C-V特性影响 | 第100-101页 |
| 5.4.2 刻蚀深度对直流特性影响 | 第101-106页 |
| 5.4.3 刻蚀深度对小信号特性影响 | 第106-108页 |
| 5.5 本章小结 | 第108-111页 |
| 第六章 等离子体处理 | 第111-135页 |
| 6.1 栅下等离子体处理对器件性能影响 | 第111-122页 |
| 6.1.1 器件制备 | 第112-113页 |
| 6.1.2 等离子体处理对肖特基特性影响 | 第113页 |
| 6.1.3 等离子体处理对C-V特性影响 | 第113-114页 |
| 6.1.4 等离子体处理对器件直流特性影响 | 第114-117页 |
| 6.1.5 等离子体处理后材料特性研究 | 第117-119页 |
| 6.1.6 N_2O等离子体处理对凹槽刻蚀器件脉冲特性影响 | 第119-121页 |
| 6.1.7 N_2O等离子体处理对凹槽刻蚀器件小信号特性影响 | 第121-122页 |
| 6.2 有源区N_2O等离子体处理对器件特性影响 | 第122-133页 |
| 6.2.1 N_2O等离子体处理对电容影响 | 第122-126页 |
| 6.2.2 器件制备 | 第126-127页 |
| 6.2.3 N_2O等离子体处理对器件直流特性影响 | 第127-130页 |
| 6.2.4 N_2O等离子体处理对器件交流特性影响 | 第130-133页 |
| 6.3 本章小结 | 第133-135页 |
| 第七章 高性能毫米波器件 | 第135-155页 |
| 7.1 超高频率AlGaN/GaN毫米波器件 | 第135-140页 |
| 7.1.1 器件制作 | 第135-136页 |
| 7.1.2 器件特性分析 | 第136-140页 |
| 7.2 高效率AlGaN/GaN毫米波功率器件 | 第140-148页 |
| 7.2.1 器件制作 | 第141-142页 |
| 7.2.2 器件直流特性分析 | 第142-145页 |
| 7.2.3 器件脉冲特性分析 | 第145-146页 |
| 7.2.4 器件脉冲特性分析 | 第146-148页 |
| 7.3 增强型AlGaN/GaN毫米波器件 | 第148-153页 |
| 7.4 本章小结 | 第153-155页 |
| 第八章 总结与展望 | 第155-159页 |
| 8.1 研究总结 | 第155-156页 |
| 8.2 未来工作展望 | 第156-159页 |
| 参考文献 | 第159-169页 |
| 致谢 | 第169-171页 |
| 作者简介 | 第171-173页 |
