| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 薄膜晶体管（TFT） | 第8-12页 |
| 1.3 铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO-TFT） | 第12-17页 |
| 1.4 本文的主要工作内容及其意义 | 第17-18页 |
| 2 IGZO的第一性原理仿真 | 第18-33页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 基于第一性原理的仿真 | 第18-19页 |
| 2.3 Zn O的结构及理论计算 | 第19-25页 |
| 2.4 IGZO的结构及理论计算 | 第25-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 3 IGZO-TFT的建模与仿真 | 第33-44页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 基于态密度模型的仿真 | 第33-35页 |
| 3.3 仿真模型的验证 | 第35-38页 |
| 3.4 IGZO-TFT的器件优化 | 第38-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 双有源层IGZO-TFT的建模与仿真 | 第44-53页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 双有源层IGZO-TFT的仿真 | 第44-46页 |
| 4.3 双有源层IGZO-TFT的器件优化 | 第46-50页 |
| 4.4 双有源层间界面位置对器件性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 5 总结与展望 | 第53-54页 |
| 5.1 总结 | 第53页 |
| 5.2 研究展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 附录1攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 附录2攻读硕士学位期间申请的专利及获奖 | 第62页 |