首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--半导体器件制造工艺及设备论文

基于纳米多孔铜结构的低温热压键合技术研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1. 绪论第10-26页
    1.1 三维封装技术第10-13页
    1.2 三维封装关键工艺-键合第13-17页
    1.3 Cu-Cu低温键合技术第17-24页
    1.4 课题来源以及本文研究内容第24-26页
2. 纳米多孔铜结构制备及控制第26-42页
    2.1 多孔结构的制备方法第26页
    2.2 多孔结构形成机制(脱合金法)第26-28页
    2.3 微纳结构控制第28-40页
    2.4 本章小结第40-42页
3. 纳米多孔铜性能测试第42-46页
    3.1 纳米多孔铜热学性能测试第42-43页
    3.2 纳米多孔铜力学性能测试第43-45页
    3.3 本章小结第45-46页
4. 纳米多孔铜键合试验研究第46-53页
    4.1 键合工艺第46-47页
    4.2 键合质量第47-51页
    4.3 本章小结第51-53页
5. 总结与展望第53-55页
    5.1 全文总结第53-54页
    5.2 今后研究工作建议和展望第54-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-61页
附录 攻读硕士学位期间发表的论文第61页

论文共61页,点击 下载论文
上一篇:多孔微热沉大功率LED阵列传热仿真与实验研究
下一篇:初中生身体活动和体质状况的跟踪研究--以南通金郊初中为例