| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 脉冲功率技术 | 第9-11页 |
| 1.2 脉冲功率开关 | 第11-13页 |
| 1.3 SiC功率半导体器件 | 第13-15页 |
| 1.4 RSD器件优化 | 第15-16页 |
| 1.5 论文主要内容 | 第16-17页 |
| 2 RSD基本原理 | 第17-27页 |
| 2.1 Si RSD工作原理 | 第17-19页 |
| 2.2 RSD物理模型 | 第19-21页 |
| 2.3 RSD触发电路 | 第21-22页 |
| 2.4 二维数值建模 | 第22-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 Si RSD结构优化 | 第27-41页 |
| 3.1 RSD开通电压峰值测量 | 第27-29页 |
| 3.2 不同耐压等级Si RSD开通对比实验 | 第29-31页 |
| 3.3 带缓冲层RSD | 第31-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 4H-SiC RSD建模 | 第41-50页 |
| 4.1 SiC RSD工作原理 | 第41-42页 |
| 4.2 Si C RSD物理模型 | 第42-45页 |
| 4.3 4H-Si C RSD阻断与通态仿真 | 第45-47页 |
| 4.4 4H-Si C基RSD与Si基RSD特性对比 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 5 结果与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 总结 | 第50页 |
| 5.2 展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |