多路静电保护TVS阵列的低电容高浪涌研究及仿真设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| 1.2 器件研究的国内外发展状况 | 第9-12页 |
| 1.2.1 静电浪涌保护器件国内外发展状况 | 第9-11页 |
| 1.2.2 软件仿真国内外发展状况 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的主要工作和内容安排 | 第12-13页 |
| 1.4 本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 TVS保护器件的工作原理及失效机理 | 第14-26页 |
| 2.1 静电及浪涌防护的标准及测试方法 | 第14-18页 |
| 2.1.1 静电放电模型 | 第14-15页 |
| 2.1.2 IEC61000标准 | 第15-16页 |
| 2.1.3 静电及浪涌测试方法 | 第16-18页 |
| 2.2 TVS器件的工作原理 | 第18-20页 |
| 2.2.1 TVS工作原理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 雪崩击穿 | 第19-20页 |
| 2.3 静电及浪涌的失效机理 | 第20-24页 |
| 2.3.1 静电及浪涌的失效模式 | 第21页 |
| 2.3.2 静电及浪涌的失效机理 | 第21-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 第3章 低电容TVS器件结构的软件仿真 | 第26-46页 |
| 3.1 软件仿真在集成电路中的应用 | 第26-29页 |
| 3.1.1 常用仿真软件 | 第26-27页 |
| 3.1.2 版图设计软件 | 第27-28页 |
| 3.1.3 工艺和器件仿真软件 | 第28-29页 |
| 3.2 降低TVS电容的设计方案 | 第29-36页 |
| 3.2.1 常规电容TVS器件 | 第29页 |
| 3.2.2 并联串联二极管方式降低TVS电容 | 第29-32页 |
| 3.2.3 单芯片实现多路低电容TVS | 第32-36页 |
| 3.3 低电容TVS版图设计与验证 | 第36-41页 |
| 3.3.1 版图仿真设计 | 第36-38页 |
| 3.3.2 版图DRC验证 | 第38-41页 |
| 3.4 低电容TVS结构仿真 | 第41-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 低电容TVS器件性能的软件仿真与改进 | 第46-58页 |
| 4.1 低电容TVS器件的性能仿真 | 第46-51页 |
| 4.2 低电容TVS器件仿真结果改进 | 第51-52页 |
| 4.3 低电容TVS的实现 | 第52-56页 |
| 4.3.1 低电容TVS的工艺实现 | 第52-53页 |
| 4.3.2 低电容TVS的参数验证 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 低电容TVS器件的抗浪涌能力优化 | 第58-66页 |
| 5.1 双芯片封装结构 | 第58-60页 |
| 5.2 双芯片TVS器件的参数验证 | 第60-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
