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基于绝缘体上应变硅纳米薄膜的应变调节研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-17页
   ·引言第10页
   ·研究背景和意义第10-11页
   ·国内外研究现状第11-15页
     ·全局应变第11-12页
     ·混合晶向技术第12页
     ·工艺致应变第12页
     ·后工艺致应变第12-13页
     ·机械应变第13页
     ·绝缘体上应变硅(sSOI)的应变研究第13-15页
   ·论文主要内容第15-17页
第二章 应变和载流子迁移率关系的理论研究第17-22页
   ·应变硅基本原理第17页
   ·应力和应变第17-18页
   ·应变硅电子迁移率增强机理第18-20页
   ·应变硅空穴迁移率增强机理第20-21页
   ·载流子迁移率和单双轴应变的关系第21页
   ·本章小结第21-22页
第三章 热效应引入拉曼虚应变研究第22-31页
   ·拉曼散射第22-27页
     ·拉曼散射光谱原理第22-24页
     ·拉曼光谱仪测量应变第24-25页
     ·张应变和拉曼硅峰位移关系第25-27页
   ·热效应引入的拉曼虚应变第27-30页
     ·激光波长对应变测量的影响第27-28页
     ·热效应引入虚应变第28-29页
     ·悬浮桥型结构的虚应变测量第29-30页
   ·本章小结第30-31页
第四章 悬浮桥型加工应变调节实验第31-45页
   ·8 英寸sSOI材料的制备技术第31-32页
   ·弹性形变理论第32-34页
   ·腐蚀工艺第34-37页
     ·湿法腐蚀第34-35页
     ·表面张力第35-36页
     ·氢氟酸蒸汽腐蚀第36-37页
   ·悬浮桥型结构应变调节实验第37-43页
     ·应变调节实验流程第37-39页
     ·拉曼应变测量结果分析第39-41页
     ·桥线单轴应变测量第41-43页
   ·本章小结第43-45页
第五章 有限元软件Comsol Multiphysics仿真模拟第45-51页
   ·有限元软件Comsol Multiphysics第45-46页
   ·Comsol Multiphysics设置与仿真第46-48页
   ·Comsol Multiphysics模拟结果与分析第48-49页
   ·本章小结第49-51页
第六章 总结与展望第51-53页
   ·论文总结第51-52页
   ·研究展望第52-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-60页
附录第60页

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