| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·研究背景和意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-15页 |
| ·全局应变 | 第11-12页 |
| ·混合晶向技术 | 第12页 |
| ·工艺致应变 | 第12页 |
| ·后工艺致应变 | 第12-13页 |
| ·机械应变 | 第13页 |
| ·绝缘体上应变硅(sSOI)的应变研究 | 第13-15页 |
| ·论文主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 应变和载流子迁移率关系的理论研究 | 第17-22页 |
| ·应变硅基本原理 | 第17页 |
| ·应力和应变 | 第17-18页 |
| ·应变硅电子迁移率增强机理 | 第18-20页 |
| ·应变硅空穴迁移率增强机理 | 第20-21页 |
| ·载流子迁移率和单双轴应变的关系 | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 热效应引入拉曼虚应变研究 | 第22-31页 |
| ·拉曼散射 | 第22-27页 |
| ·拉曼散射光谱原理 | 第22-24页 |
| ·拉曼光谱仪测量应变 | 第24-25页 |
| ·张应变和拉曼硅峰位移关系 | 第25-27页 |
| ·热效应引入的拉曼虚应变 | 第27-30页 |
| ·激光波长对应变测量的影响 | 第27-28页 |
| ·热效应引入虚应变 | 第28-29页 |
| ·悬浮桥型结构的虚应变测量 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 悬浮桥型加工应变调节实验 | 第31-45页 |
| ·8 英寸sSOI材料的制备技术 | 第31-32页 |
| ·弹性形变理论 | 第32-34页 |
| ·腐蚀工艺 | 第34-37页 |
| ·湿法腐蚀 | 第34-35页 |
| ·表面张力 | 第35-36页 |
| ·氢氟酸蒸汽腐蚀 | 第36-37页 |
| ·悬浮桥型结构应变调节实验 | 第37-43页 |
| ·应变调节实验流程 | 第37-39页 |
| ·拉曼应变测量结果分析 | 第39-41页 |
| ·桥线单轴应变测量 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 有限元软件Comsol Multiphysics仿真模拟 | 第45-51页 |
| ·有限元软件Comsol Multiphysics | 第45-46页 |
| ·Comsol Multiphysics设置与仿真 | 第46-48页 |
| ·Comsol Multiphysics模拟结果与分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| ·论文总结 | 第51-52页 |
| ·研究展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 附录 | 第60页 |