| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·当今大规模集成电路的发展 | 第11-12页 |
| ·本论文的研究意义、目的 | 第12-13页 |
| ·本论文的内容 | 第13-14页 |
| ·本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 ULSI 中互连线的发展 | 第15-21页 |
| ·ULSI 中铝互连线的发展 | 第15-16页 |
| ·铜互连线的优点 | 第16-17页 |
| ·铜互连线的缺点 | 第17-18页 |
| ·铜互连的单大马士革镶嵌工艺 | 第18-19页 |
| ·铜互连的双大马士革镶嵌工艺 | 第19-20页 |
| ·化学机械抛光技术 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 降低 45NM 后段工艺 RC 互连延时的策略 | 第21-30页 |
| ·金属互连材料的选择 | 第21-22页 |
| ·铜互连的扩散阻挡层的发展状况 | 第22-24页 |
| ·纯金属 | 第23页 |
| ·单晶阻挡层 | 第23页 |
| ·化合物阻挡层 | 第23-24页 |
| ·非晶阻挡层 | 第24页 |
| ·绝缘介质材料的选择 | 第24-26页 |
| ·降低 45nm 后段工艺 RC 互连延时的策略 | 第26-27页 |
| ·降低铜连线阻值: 铜互联的扩散阻挡层选择 | 第27-28页 |
| ·降低后段互连介质绝缘层的电容 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 降低 45NM 后段工艺 RC 互连延时的分析与试验 | 第30-36页 |
| ·扩散阻挡层的金属化 | 第30-31页 |
| ·扩散阻挡层的分析 | 第31-32页 |
| ·扩散阻挡层的试验 | 第32-33页 |
| ·45nm 后段工艺介质绝缘层的分析与试验 | 第33-34页 |
| ·介质绝缘层的试验 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第五章 试验可靠性的分析和本课题的最终解决方案 | 第36-42页 |
| ·试验相关的可靠性 | 第36-38页 |
| ·扩散阻挡层试验的可靠性结果分析 | 第38-39页 |
| ·介质绝缘层试验的可靠性结果分析 | 第39-40页 |
| ·本课题的最终解决方案 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第六章 结束语 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第48-50页 |