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半导体桥等离子体温度的光谱法诊断研究

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
目录第5-8页
1 绪论第8-19页
   ·研究背景及意义第8-9页
   ·国内外研究概况第9-10页
   ·光谱诊断的基本理论基础第10-17页
     ·等离子体判据第10-11页
       ·等离子体的空间特征尺度第11页
       ·等离子体的时间特征尺度第11页
       ·等离子体参量∧第11页
     ·等离子体测量的热力学基础第11-12页
     ·等离子体局部热力学平衡的判据第12-13页
     ·等离子体温度的发射光谱法诊断及其应用第13-17页
       ·双谱线法第13-14页
       ·多谱线斜率法第14-15页
       ·等电子谱线法第15-16页
       ·Saha-Boltzmann法第16-17页
       ·谱线绝对强度法第17页
   ·本论文的主要研究工作第17-18页
   ·本章小结第18-19页
2 SCB及其等离子体的形成、特征研究第19-26页
   ·SCB结构第19-20页
   ·SCB桥区表面形貌第20-21页
   ·SCB等离子体的形成第21-22页
   ·SCB等离子体的时空特征第22-25页
   ·本章小结第25-26页
3 SCB等离子体温度的原子发射光谱双谱线法诊断研究第26-35页
   ·测温原理第26-28页
   ·SCB等离子体的重要假设—局部热力学平衡第28页
   ·SCB等离子体的发射光谱第28-29页
   ·影响温度测量准确度的因素第29-30页
     ·连续光谱背景第29页
     ·谱线干扰第29页
     ·跃迁几率A值第29-30页
     ·波长、光谱强度测量准确度的影响第30页
   ·谱线的选择第30-31页
   ·原子发射光谱双谱线法测温系统第31-34页
     ·测温装置简介第31-33页
     ·测温系统的校正第33-34页
   ·本章小结第34-35页
4 SCB等离子体温度的测试及其实验研究第35-57页
   ·基本原理第35-36页
   ·实验装置第36-37页
     ·脉冲放电激发SCB产生等离子体的装置第36-37页
     ·恒压直流放电激发SCB产生等离子体的装置第37页
   ·试验方法第37-38页
   ·结果与讨论第38-55页
     ·脉冲放电作用于A型SCB激发产生等离子体的试验研究第39-45页
       ·不同放电条件下等离子体谱线强度的时间分辨第39-40页
       ·等离子体温度与谱线强度的关系第40-41页
       ·等离子体温度与放电电压的关系第41页
       ·等离子体温度与放电电容的关系第41-42页
       ·等离子体温度与脉冲能量的关系第42-44页
       ·等离子体后期放电开始的时间与放电条件的关系第44页
       ·后期放电开始时等离子体温度与放电条件的关系第44页
       ·小结第44-45页
     ·脉冲放电作用于B型、C型SCB激发产生等离子体的试验研究第45-50页
       ·不同放电电压下谱线强度的时间分辨第45-46页
       ·等离子体温度与放电电压的关系第46-47页
       ·等离子体温度与脉冲能量的关系第47-49页
       ·等离子体后期放电开始的时间与放电电压的关系第49页
       ·小结第49-50页
     ·直流放电作用于B型SCB激发产生等离子体的试验研究第50-51页
       ·谱线强度随放电电压的时间分辨第50-51页
       ·等离子体温度与放电电压的关系第51页
       ·小结第51页
     ·影响温度测量精度的可能性因素分析第51-55页
       ·温度测量实验精度的分析第52-54页
       ·影响温度测量的因素分析第54-55页
   ·本章小结第55-57页
5 结论与展望第57-59页
   ·结论第57-58页
   ·展望第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-67页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第67页

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