| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-23页 |
| ·研究背景 | 第9-13页 |
| ·ULSI 发展简介 | 第9-11页 |
| ·CMP 技术简介 | 第11-13页 |
| ·抛光液研究现状 | 第13-22页 |
| ·氧化剂 | 第14-16页 |
| ·络合剂 | 第16页 |
| ·腐蚀抑制剂 | 第16-19页 |
| ·磨粒 | 第19-21页 |
| ·其他添加剂 | 第21-22页 |
| ·本论文主要研究工作 | 第22-23页 |
| 第2章 铜化学机械抛光的实验方法与设备 | 第23-29页 |
| ·化学机械抛光 | 第23-26页 |
| ·试样 | 第23页 |
| ·化学机械抛光机 | 第23-24页 |
| ·化学机械抛光实验参数 | 第24-25页 |
| ·抛光后材料去除率的计算方法 | 第25-26页 |
| ·表面形貌的测量 | 第26页 |
| ·电化学分析 | 第26-27页 |
| ·XPS 分析 | 第27-29页 |
| 第3章 抛光液中氧化剂的作用 | 第29-43页 |
| ·引论 | 第29页 |
| ·氧化剂的选择 | 第29-35页 |
| ·过氧化氢 | 第29-31页 |
| ·过氧化氢稳定剂 | 第31-35页 |
| ·单一型稳定剂添加剂 | 第31-34页 |
| ·成品稳定剂 | 第34-35页 |
| ·过氧化氢含量对铜的电化学作用分析 | 第35-37页 |
| ·过氧化氢作用的XPS 分析 | 第37-38页 |
| ·过氧化氢的抛光作用效果 | 第38-41页 |
| ·过氧化氢含量对材料去除率的影响 | 第39-40页 |
| ·过氧化氢含量对表面质量的影响 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第4章 抛光液中络合剂的作用 | 第43-54页 |
| ·引论 | 第43页 |
| ·络合剂的选择 | 第43-44页 |
| ·乙二胺的抛光作用效果分析 | 第44-52页 |
| ·乙二胺对pH 值的影响 | 第44-46页 |
| ·乙二胺对铜的电化学作用分析 | 第46-48页 |
| ·乙二胺的抛光作用效果分析 | 第48-52页 |
| ·乙二胺含量对抛光去除速率的影响 | 第48-49页 |
| ·不同过氧化氢含量下抛光去除速率随乙二胺含量的变化 | 第49-50页 |
| ·乙二胺含量对抛光后表面质量的影响 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第5章 抛光液中腐蚀抑制剂的作用 | 第54-64页 |
| ·引论 | 第54页 |
| ·腐蚀抑制剂的选择 | 第54-63页 |
| ·BTA 作为腐蚀抑制剂 | 第54-56页 |
| ·其他类腐蚀抑制剂对铜抛光的影响 | 第56-63页 |
| ·山梨酸钾作为腐蚀抑制剂 | 第57-60页 |
| ·亚乙基硫脲作为腐蚀抑制剂 | 第60-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第6章 抛光液中磨粒的作用 | 第64-74页 |
| ·引论 | 第64页 |
| ·二氧化硅颗粒形貌 | 第64-66页 |
| ·样品制备 | 第64页 |
| ·二氧化硅颗粒的SEM 形貌 | 第64-66页 |
| ·颗粒粒径对化学机械抛光的影响 | 第66-73页 |
| ·二氧化硅颗粒粒径对去除速率的影响 | 第66-68页 |
| ·二氧化硅颗粒含量对去除速率的影响 | 第68-70页 |
| ·二氧化硅颗粒粒径对表面形貌的影响 | 第70-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第7章结论与展望 | 第74-76页 |
| ·论文的主要工作 | 第74-75页 |
| ·未来工作的展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第83页 |