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基于自主嵌入式处理器的半自定制物理设计方法研究

致谢第1-6页
摘要第6-8页
Abstract第8-17页
第1章 绪论第17-29页
   ·引言第17页
   ·论文的背景及意义第17-24页
     ·集成电路设计方法的历史回顾第17-20页
     ·集成电路的半定制设计第20-22页
     ·当今集成电路物理设计中的问题与挑战第22-24页
   ·论文的主要工作及创新点第24-26页
   ·论文的组织结构第26-29页
第2章 CK系列自主嵌入式CPU的体系结构与物理设计流程概述第29-41页
   ·CPU的微体系结构及功能模块第29-31页
     ·CPU的流水级模型第29-30页
     ·CPU的功能模块划分及定义第30页
     ·CPU功能及微体系结构的特点第30-31页
   ·物理设计和验证的流程及方法第31-39页
     ·物理设计与验证第31-32页
     ·传统物理设计和验证的流程简介第32-37页
     ·新型物理设计流程中的关键技术概述第37-39页
   ·本章小结第39-41页
第3章 超深亚微米工艺标准单元的半定制设计方法第41-62页
   ·电路结构的划分以及特点第42-44页
     ·静态CMOS电路第42-43页
     ·动态CMOS电路第43-44页
   ·静态互补CMOS逻辑的分析第44-48页
     ·PUN与PDN网络的器件选择第44-45页
     ·PUN与PDN的对偶特性第45页
     ·静态互补CMOS电路的时序特性分析第45-48页
   ·可重构标准单元的设计第48-60页
     ·可重构标准单元的版图结构第48-51页
     ·可重构标准单元的版图设计方法第51-54页
     ·标准单元的重构第54-55页
     ·标准单元时序信息的快速估算第55-60页
   ·本章小结第60-62页
第4章 SRAM单元半定制设计中的建库技术研究第62-77页
   ·SRAM的模块划分及功能第63-65页
   ·SRAM单元的时序信息库提取第65-71页
     ·测试电路的设计第66页
     ·激励波形的设计第66-68页
     ·SRAM单元传输延时与输出转换时间的测量第68-69页
     ·SRAM单元setup与hold时间的测量第69-71页
   ·采样点偏离现象及偏差修正第71-75页
     ·采样点偏离现象的分析第71-73页
     ·偏差修正第73-75页
   ·本章小结第75-77页
第5章 应用DCCB单元的半定制时钟树结构设计第77-93页
   ·现有时钟偏差调整方法分析第77-79页
   ·DCCB单元的结构设计与说明第79-84页
     ·DCCB结构的分析第79-81页
     ·DCCB的性能分析第81-82页
     ·DCCB在时钟树生成中的应用第82-84页
   ·应用DCCB优化时钟周期第84-89页
     ·DCCB传输延时的线性模型第84-87页
     ·DCCB调整时钟偏差优化时钟周期的方法第87-88页
     ·应用DCCB的设计流程第88-89页
   ·实验结果第89-90页
   ·本章小结第90-93页
第6章 基于图论的快速晶体管调整方法第93-111页
   ·传统的晶体管调整方法第93-95页
   ·快速晶体管调整设计流程第95-109页
     ·流程综述第95-96页
     ·关键网络图(critical networks graph)第96-98页
     ·关键网络图的分解第98-101页
     ·路径选择第101-102页
     ·网表仿真及P/N ratio调整第102-109页
     ·验证第109页
   ·本章小结第109-111页
第7章 总结和展望第111-115页
   ·论文总结第111-112页
   ·展望第112-115页
参考文献第115-123页
附录第123-129页
 附录A extractNet函数第123-129页
攻读学位期间发表的学术论文第129页

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