| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-35页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·静电放电的工业测试标准和测试方法 | 第14-21页 |
| ·静电放电的工业测试标准 | 第14-17页 |
| ·测试方法及测试仪器 | 第17-18页 |
| ·传输线脉冲发生器(TLP)测试 | 第18-21页 |
| ·射频集成电路ESD防护研究现状 | 第21-28页 |
| ·射频ESD防护设计方法研究进展 | 第21-27页 |
| ·射频ESD防护电路测试技术 | 第27-28页 |
| ·本文的研究方案和技术路线 | 第28-35页 |
| ·研究意义 | 第28-29页 |
| ·技术路线 | 第29-30页 |
| ·本文结构 | 第30-32页 |
| ·流片和测试方法 | 第32-35页 |
| 第2章 RFIC的ESD防护器件物理机理、器件设计、版图设计研究 | 第35-85页 |
| 本章摘要 | 第35-36页 |
| ·ESD失效形式和设计窗口研究 | 第36-39页 |
| ·电阻 | 第39-41页 |
| ·二极管 | 第41-46页 |
| ·MOS管 | 第46-60页 |
| ·栅接地NMOS管(GGNMOS)回滞机理研究 | 第46-49页 |
| ·GGNMOS的版图设计研究 | 第49-59页 |
| ·GGNMOS器件研究小结 | 第59-60页 |
| ·晶闸管(SCR) | 第60-75页 |
| ·晶闸管(SCR)的工作原理 | 第60-64页 |
| ·低触发电压SCR的ESD防护结构研究 | 第64-66页 |
| ·高维持电压SCR的ESD防护结构研究 | 第66-67页 |
| ·双向SCR的ESD防护结构研究 | 第67-69页 |
| ·SCR版图设计研究 | 第69-74页 |
| ·晶闸管ESD防护器件研究小结 | 第74-75页 |
| ·ESD防护器件寄生电容及ESD鲁棒性综合评估研究 | 第75-81页 |
| ·本章小结 | 第81-85页 |
| 第3章 射频全芯片ESD设计、实现及其透明性研究 | 第85-135页 |
| 本章摘要 | 第85-86页 |
| ·射频全芯片设计概述 | 第86-90页 |
| ·电源和地之间的ESD防护(Power Clamp)的设计 | 第90-102页 |
| ·串联二极管ESD防护结构 | 第90-93页 |
| ·二极管触发SCR(DTSCR)的ESD防护结构 | 第93-96页 |
| ·RC触发的ESD防护结构 | 第96-102页 |
| ·Power Clamp设计小结 | 第102页 |
| ·全芯片ESD防护策略的设计和实现 | 第102-112页 |
| ·测试结构设计 | 第103-104页 |
| ·射频I/O口ESD防护策略设计 | 第104-110页 |
| ·实现和版图 | 第110-112页 |
| ·测试结果和性能分析 | 第112-125页 |
| ·ESD性能评估 | 第113-118页 |
| ·ESD器件电容测试 | 第118-124页 |
| ·ESD性能和寄生电容综合比较 | 第124-125页 |
| ·低噪声放大器LNA的ESD防护 | 第125-130页 |
| ·拓扑结构 | 第125-126页 |
| ·版图 | 第126-128页 |
| ·仿真结果 | 第128-130页 |
| ·锁相环PLL的ESD防护设计 | 第130-133页 |
| ·本章小结 | 第133-135页 |
| 第4章 总结与展望 | 第135-139页 |
| ·结论 | 第135-137页 |
| ·创新点 | 第137-138页 |
| ·本文的不足之处与展望 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-147页 |
| 作者简历及在学期间的科研成果 | 第147-148页 |
