| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-14页 |
| 1.2 晶体管原理 | 第14-18页 |
| 1.3 制程缩短面临的挑战 | 第18-21页 |
| 1.4 二维材料 | 第21-25页 |
| 1.5 本论文的研究重点 | 第25-26页 |
| 第二章 基于二硫化钼晶体管的浮栅存储器的研制 | 第26-45页 |
| 2.1 研究背景 | 第26-31页 |
| 2.1.1 存储器的应用 | 第26-27页 |
| 2.1.2 存储器的原理 | 第27-30页 |
| 2.1.4 金属纳米晶二硫化钼浮栅晶体管的设计 | 第30-31页 |
| 2.2 基于二硫化钼的金属纳米晶浮栅晶体管的制备工艺 | 第31-36页 |
| 2.3 基于二硫化钼的金属纳米晶浮栅晶体管的电学性能测试 | 第36-44页 |
| 2.3.1 不同金属俘获层的存储器性能研究 | 第36-42页 |
| 2.3.2 存储器的存储速度和保持时间的研究 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 二硫化钼顶栅器件的研制 | 第45-62页 |
| 3.1 研究背景 | 第45-51页 |
| 3.1.1 二维材料晶体管的研究背景 | 第45-46页 |
| 3.1.2 high-k材料在晶体管中的应用 | 第46-49页 |
| 3.1.3 栅介质对库伦散射和表面声子散射的影响 | 第49-51页 |
| 3.2 基于二硫化钼的无缓冲层二氧化铪顶栅器件的制备 | 第51-56页 |
| 3.2.1 顶栅器件的组装过程 | 第51-52页 |
| 3.2.2 UV-O处理对二硫化钼的影响 | 第52-56页 |
| 3.3 二硫化钼顶栅器件性能的研究 | 第56-58页 |
| 3.4 层数对二硫化钼散射的影响 | 第58-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 二硫化钼接触电阻的优化 | 第62-82页 |
| 4.0 研究背景 | 第62-66页 |
| 4.0.1 二维材料电阻的研究目的 | 第62-63页 |
| 4.0.2 金属二维材料接触的原理 | 第63-65页 |
| 4.0.3 过渡族金属硫化物接触研究现状 | 第65-66页 |
| 4.1 超薄隧穿层的设计 | 第66-68页 |
| 4.2 氮化硼的生长和表征 | 第68-71页 |
| 4.3 氮化硼隧穿层在二硫化钼器件中的应用 | 第71-81页 |
| 4.3.1 二硫化钼器件的组装 | 第71-73页 |
| 4.3.2 二硫化钼背栅器件的电学性质表征 | 第73-75页 |
| 4.3.3 肖特基势垒和接触电阻的提取 | 第75-77页 |
| 4.3.4 氮化硼对电流输运的影响 | 第77-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 总结与展望 | 第82-85页 |
| 5.1 主要研究成果 | 第82-83页 |
| 5.2 后续的研究方向 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-95页 |
| 博士期间的工作 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
