| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 引言 | 第16-23页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第16-18页 |
| 1.2 SiC MOSFET建模的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 SiC MOSFET开关过程建模 | 第23-53页 |
| 2.1 SiC MOSFET与Si MOSFET的异同 | 第23-28页 |
| 2.1.1 导通电阻 | 第24-25页 |
| 2.1.2 寄生电容 | 第25-26页 |
| 2.1.3 跨导 | 第26-28页 |
| 2.2 SiC MOSFET一阶数学模型的建立 | 第28-39页 |
| 2.2.1 开通过程的一阶数学模型 | 第29-34页 |
| 2.2.2 关断过程的一阶数学模型 | 第34-39页 |
| 2.3 SiC MOSFET高阶数学模型的建立 | 第39-51页 |
| 2.3.1 器件寄生参数的拟合 | 第41-46页 |
| 2.3.2 开通过程高阶数学模型 | 第46-49页 |
| 2.3.3 关断过程高阶数学模型 | 第49-51页 |
| 2.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 基于SPICE模型的SiC MOSFET开关过程仿真 | 第53-62页 |
| 3.1 基于SPICE模型的SiC MOSFET开关过程仿真电路的建立 | 第53-57页 |
| 3.1.1 SiC MOSFET SPICE模型 | 第53-57页 |
| 3.1.2 SiC MOSFET开关过程仿真电路 | 第57页 |
| 3.2 SiC MOSFET一阶数学模型仿真验证 | 第57-59页 |
| 3.3 SiC MOSFET高阶数学模型仿真验证 | 第59-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 SiC MOSFET的开关过程实验 | 第62-76页 |
| 4.1 双脉冲测试 | 第62-68页 |
| 4.1.1 双脉冲测试原理 | 第62-64页 |
| 4.1.2 双脉冲测试注意事项 | 第64-68页 |
| 4.2 SiC MOSFET SPICE模型的实验验证 | 第68-75页 |
| 4.2.1 SiC MOSFET双脉冲实验 | 第68-71页 |
| 4.2.2 双脉冲测试平台主电路PCB板的寄生电感提取 | 第71-72页 |
| 4.2.3 SPICE模型的实验验证 | 第72-75页 |
| 4.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 寄生参数对SiC MOSFET开关过程的影响 | 第76-94页 |
| 5.1 驱动电阻对SiC MOSFET开关过程的影响 | 第76-78页 |
| 5.2 寄生电感对SiC MOSFET开关过程的影响 | 第78-84页 |
| 5.2.1 栅极寄生电感 | 第78-80页 |
| 5.2.2 共源极寄生电感 | 第80-82页 |
| 5.2.3 功率回路总杂散电感 | 第82-84页 |
| 5.3 寄生电容对SiC MOSFET开关过程的影响 | 第84-92页 |
| 5.3.1 输入电容 | 第84-86页 |
| 5.3.2 输出电容 | 第86-88页 |
| 5.3.3 反馈电容 | 第88-90页 |
| 5.3.4 续流二极管结电容 | 第90-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 第六章 总结与展望 | 第94-96页 |
| 6.1 总结 | 第94-95页 |
| 6.2 展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-101页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第101页 |
