| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要内容及安排 | 第13-15页 |
| 第二章 SiGe外延层应变弛豫机理 | 第15-22页 |
| 2.1 Si与SiGe的晶格失配 | 第15-16页 |
| 2.2 SiGe外延层应变弛豫机理 | 第16-21页 |
| 2.2.1 位错与SiGe外延层的应变弛豫 | 第16-18页 |
| 2.2.2 临界厚度 | 第18-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 超薄SiGe虚拟衬底的制备 | 第22-36页 |
| 3.1 SiGe材料制备技术 | 第22-25页 |
| 3.1.1 MBE | 第22-23页 |
| 3.1.2 CVD | 第23-25页 |
| 3.2 SiGe虚拟衬底的基本设计方法 | 第25-28页 |
| 3.2.1 基于Ge组分变化的SiGe虚拟设计方法 | 第25-27页 |
| 3.2.2 虚拟衬底设计方法发展 | 第27-28页 |
| 3.3 超薄SiGe虚拟衬底的制备 | 第28-35页 |
| 3.3.1 超薄SiGe虚拟衬底的方案设计 | 第28-32页 |
| 3.3.2 基于离子注入的超薄SiGe虚拟衬底的实验设计及制备 | 第32-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 超薄SiGe虚拟衬底的测试表征分析 | 第36-44页 |
| 4.1 超薄SiGe虚拟衬底的测试表征分析 | 第36-43页 |
| 4.1.1 组分测试分析 | 第37-38页 |
| 4.1.2 应力测试分析 | 第38-42页 |
| 4.1.3 样品评估分析 | 第42-43页 |
| 4.2 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 超薄SiGe虚拟衬底的建模 | 第44-58页 |
| 5.1 超薄SiGe虚拟衬底应变弛豫的物理模型研究 | 第44-54页 |
| 5.1.1 弹性多层系统热应力模型 | 第44-48页 |
| 5.1.2 基于界面缺陷和晶格失配的应变分布物理模型 | 第48-54页 |
| 5.2 超薄SiGe虚拟衬底应变弛豫的数值模型探讨 | 第54-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-60页 |
| 6.1 本文的主要工作 | 第58-59页 |
| 6.2 下一步工作 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
