集成电路ESD防护器件开启速度及温度特性的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 面临的困难和挑战 | 第11-12页 |
| 1.4 论文的主要研究目标、技术路线和架构 | 第12-14页 |
| 第二章 ESD防护基本单元的测试及其仿真 | 第14-25页 |
| 2.1 ESD模型及防护等级分类 | 第14-17页 |
| 2.2 ESD防护单元设计规则 | 第17-18页 |
| 2.3 传输线脉冲测试方法 | 第18-19页 |
| 2.4 ESD防护基本单元的TCAD仿真 | 第19-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 ESD防护器件开启特性的研究 | 第25-42页 |
| 3.1 ESD防护器件开启速度的估算方法 | 第25-26页 |
| 3.2 P+型SCR器件的开启特性研究 | 第26-30页 |
| 3.2.1 P+接地SCR器件 | 第26-28页 |
| 3.2.2 P+浮空SCR器件 | 第28-30页 |
| 3.3 跨桥型SCR器件的开启特性研究 | 第30-35页 |
| 3.3.1 P+跨桥SCR器件 | 第31-33页 |
| 3.3.2 N+跨桥SCR器件 | 第33-35页 |
| 3.4 N阱型SCR结构的开启特性研究 | 第35-40页 |
| 3.4.1 有浮空N阱SCR器件 | 第36-38页 |
| 3.4.2 无浮空N阱SCR器件 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 ESD防护器件温度特性的研究 | 第42-56页 |
| 4.1 ESD防护器件的温度特性 | 第42-43页 |
| 4.2 改进型SCR器件的温度特性研究 | 第43-51页 |
| 4.2.1 P+型SCR器件 | 第43-47页 |
| 4.2.2 跨桥型SCR器件 | 第47-49页 |
| 4.2.3 栅控二极管触发DDSCR器件 | 第49-51页 |
| 4.3 具有栅结构的ESD防护器件温度特性研究 | 第51-55页 |
| 4.3.1 改进型栅控结构器件 | 第51-52页 |
| 4.3.2 改进型LDMOS-SCR器件 | 第52-54页 |
| 4.3.3 NMOS触发LDMOS-SCR器件 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间取得的成果 | 第63页 |
