高频压电MEMS谐振器研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 MEMS谐振器原理 | 第15-29页 |
| 2.1 谐振系统基本模型和性质 | 第15-16页 |
| 2.2 MEMS谐振器的等效电路 | 第16-18页 |
| 2.3 谐振器不同模态下的频率计算 | 第18-21页 |
| 2.4 谐振器动态阻抗 | 第21页 |
| 2.5 谐振器损耗分析 | 第21-24页 |
| 2.5.1 空气阻尼 | 第21-22页 |
| 2.5.2 锚点损耗 | 第22-23页 |
| 2.5.3 材料损耗 | 第23页 |
| 2.5.4 其他损耗 | 第23-24页 |
| 2.6 MEMS谐振器中硅的杨氏模量 | 第24-26页 |
| 2.6.1 晶体方向对杨氏模量的影响 | 第24-25页 |
| 2.6.2 材料弹性与杨氏模量的关系 | 第25-26页 |
| 2.7 MEMS谐振器的能量转换方式 | 第26-29页 |
| 第三章 声子晶体谐振器设计 | 第29-59页 |
| 3.1 声子晶体介绍 | 第29-32页 |
| 3.1.1 声子晶体和带隙的概念 | 第29-31页 |
| 3.1.2 声子晶体带隙计算方法 | 第31-32页 |
| 3.2 声子晶体结构的带隙仿真 | 第32-36页 |
| 3.3 声子晶体带隙影响因素的研究 | 第36-46页 |
| 3.3.1 圆孔半径R对声子晶体带隙的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 梁长L对声子晶体带隙的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.3 方块长度Ls对声子晶体带隙的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.4 方块宽度Ws对声子晶体带隙的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.5 孔数量对声子晶体带隙的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.6 孔的形状和角度对声子晶体带隙影响 | 第44-46页 |
| 3.3.7 声子晶体带隙影响因素的总结 | 第46页 |
| 3.4 声子晶体谐振器Q值仿真 | 第46-50页 |
| 3.4.1 无声子晶体结构谐振器的Q值仿真 | 第47-48页 |
| 3.4.2 带有一个声子晶体的谐振器Q值仿真 | 第48-49页 |
| 3.4.3 带有多个声子晶体的谐振器Q值仿真 | 第49-50页 |
| 3.5 声子晶体谐振器模态仿真 | 第50-51页 |
| 3.6 声子晶体谐振器的加工工艺与版图设计 | 第51-54页 |
| 3.6.1 谐振器加工工艺 | 第51-53页 |
| 3.6.2 声子晶体谐振器版图设计 | 第53-54页 |
| 3.7 声子晶体谐振器的实物测试 | 第54-58页 |
| 3.7.1 100μm长度的谐振器测试结果 | 第55-57页 |
| 3.7.2 80μm长度的谐振器测试结果 | 第57-58页 |
| 3.8 分析与总结 | 第58-59页 |
| 第四章 圆环谐振器设计 | 第59-66页 |
| 4.1 圆环谐振器介绍 | 第59-61页 |
| 4.1.1 圆环谐振器基本参数 | 第59-60页 |
| 4.1.2 圆环谐振器频率计算 | 第60-61页 |
| 4.2 圆环谐振器仿真 | 第61-63页 |
| 4.2.1 单电极圆环谐振器仿真 | 第61-62页 |
| 4.2.2 交叉电极圆环谐振器仿真 | 第62-63页 |
| 4.2.3 两种谐振器的电荷分布比较 | 第63页 |
| 4.3 版图设计与实物测试 | 第63-65页 |
| 4.4 本章总结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 全文总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
