| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 ESD失效的影响 | 第7-8页 |
| 1.2 深亚微米工艺对IC抗ESD能力的影响 | 第8-9页 |
| 1.3 不断发展的集成电路对ESD保护电路新的要求 | 第9-10页 |
| 1.4 ESD失效机制 | 第10-12页 |
| 1.5 本文研究内容与章节安排 | 第12-13页 |
| 第二章 ESD事件的模式分析 | 第13-21页 |
| 2.1 人体放电模式(Human-Body Model HBM) | 第14-15页 |
| 2.2 机器放电模式(Machine Model,MM) | 第15-16页 |
| 2.3 带电荷器件模式(Charged-Device Model,CDM) | 第16-18页 |
| 2.4 电场感应模式(Field-Induced Model,FIM) | 第18-21页 |
| 第三章 ESD失效分析和测试方法 | 第21-27页 |
| 3.1 静电放电故障判断 | 第21-22页 |
| 3.2 失效解析的手法 | 第22-25页 |
| 3.2.1 电特性测试 | 第22页 |
| 3.2.2 HBM和MM模式的ESD测试装置 | 第22-23页 |
| 3.2.3 传输线脉冲(TLP)技术 | 第23-24页 |
| 3.2.4 ESD失效解析设备和手段 | 第24-25页 |
| 3.3 电路失效的破坏模式统计 | 第25-27页 |
| 第四章 ESD电路设计的原则 | 第27-39页 |
| 4.1 设计的基本原则 | 第27-31页 |
| 4.1.1 二极管 | 第28-29页 |
| 4.1.2 双极型晶体管 | 第29页 |
| 4.1.3 MOSFET管 | 第29-30页 |
| 4.1.4 可控硅管 | 第30-31页 |
| 4.2 CMOS电路中ESD保护结构的设计 | 第31-32页 |
| 4.3 ESD保护原理 | 第32-39页 |
| 4.3.1 PS模式下PAD,VSS之间的ESD低阻旁路 | 第33-36页 |
| 4.3.2 NS模式下VSS,PAD之间ESD低阻旁路 | 第36-37页 |
| 4.3.3 PD模式下PAD,VDD之间ESD低阻旁路 | 第37页 |
| 4.3.4 ND模式下VDD,PAD之间ESD低阻旁路 | 第37页 |
| 4.3.5 VDD,VSS之间ESD低阻旁路 | 第37-38页 |
| 4.3.6 PAD,PAD之间ESD低阻旁路 | 第38-39页 |
| 第五章 ESD电路中的工艺改进方法 | 第39-53页 |
| 5.1 工艺对芯片ESD防护能力的影响 | 第39-40页 |
| 5.2 提高ESD保护能力工艺改进 | 第40-44页 |
| 5.2.1 改进工艺流程的研究工作进展 | 第40-41页 |
| 5.2.2 亚微米技术中影响ESD问题的解决方案 | 第41-42页 |
| 5.2.3 金属硅化物扩散层屏蔽工艺 | 第42-44页 |
| 5.3 工艺模拟和改进事例 | 第44-53页 |
| 5.3.1 工艺模拟概念 | 第44-45页 |
| 5.3.2 工艺模拟软件的验证 | 第45-47页 |
| 5.3.3 ESD保护电路的工艺改进实例 | 第47-53页 |
| 第六章 封装加工过程的ESD防护研究 | 第53-65页 |
| 6.1 ESD防护在应用方面的考察 | 第53-57页 |
| 6.2 空气电离器工作原理及生产线应用研究 | 第57-65页 |
| 6.2.1 空气电离器工作原理和设备选型 | 第57-60页 |
| 6.2.2 空气电离器的验收、效果评价方法 | 第60-64页 |
| 6.2.3 总结 | 第64-65页 |
| 结束语 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 附录 | 第71页 |
