| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.1.1 CMOS图像传感器的发展 | 第12-13页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 研究内容及结构 | 第15-16页 |
| 第二章 CMOS图像传感器简介 | 第16-22页 |
| 2.1 CMOS像元结构 | 第16-17页 |
| 2.2 CMOS工作原理 | 第17页 |
| 2.3 MT9V022型CMOS图像传感器简介 | 第17-21页 |
| 2.3.1 基本参数 | 第17-18页 |
| 2.3.2 数据输出 | 第18-21页 |
| 2.4 小结 | 第21-22页 |
| 第三章 激光干扰CMOS图像传感器实验研究 | 第22-47页 |
| 3.1 可见光CMOS图像传感器饱和阈值测量 | 第22-27页 |
| 3.1.1 实验系统 | 第22-23页 |
| 3.1.2 图像饱和激光功率密度阈值的确定 | 第23-27页 |
| 3.2 连续激光辐照CMOS图像传感器实验研究 | 第27-32页 |
| 3.2.1 实验系统 | 第27-28页 |
| 3.2.2 实验现象与机理分析 | 第28-32页 |
| 3.3 毫秒脉冲激光辐照CMOS图像传感器实验研究 | 第32-36页 |
| 3.3.1 实验系统 | 第32-33页 |
| 3.3.2 实验现象与机理分析 | 第33-36页 |
| 3.4 短脉冲激光辐照CMOS图像传感器实验研究 | 第36-38页 |
| 3.4.1 实验系统 | 第36-37页 |
| 3.4.2 实验现象与机理分析 | 第37-38页 |
| 3.5 激光干扰CMOS与CCD实验结果对比分析 | 第38-40页 |
| 3.5.1 现象对比分析 | 第39页 |
| 3.5.2 机理对比分析 | 第39-40页 |
| 3.6 激光干扰饱和面积扩展研究 | 第40-45页 |
| 3.6.1 理论基础 | 第40-43页 |
| 3.6.2 实验结果与分析 | 第43-45页 |
| 3.7 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 双脉冲损伤CMOS图像传感器实验研究 | 第47-55页 |
| 4.1 实验系统 | 第47-49页 |
| 4.2 实验现象与分析 | 第49-54页 |
| 4.2.1 单脉冲与Double-pulse纳秒激光辐照效果对比 | 第49-53页 |
| 4.2.2 重频对探测器损伤效应的影响 | 第53-54页 |
| 4.3 总结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-58页 |
| 5.1 本文主要工作及相关成果 | 第55-56页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第63页 |