| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 高k/InAlAs结构研究的背景和目的 | 第16-18页 |
| 1.2 高k/InAlAs研究的现状和存在的问题 | 第18-20页 |
| 1.2.1 研究的现状 | 第18-19页 |
| 1.2.2 存在的问题 | 第19-20页 |
| 1.3 本文主要研究工作和结构安排 | 第20-22页 |
| 第二章 高k/InAlAs界面测试原理和漏电机制 | 第22-34页 |
| 2.1 结构以及结构参数的确定 | 第22-24页 |
| 2.2 电容和界面特性分析 | 第24-29页 |
| 2.2.1 高k/InAlAs电容特性分析和测试原理 | 第25-26页 |
| 2.2.2 XPS测试原理 | 第26-27页 |
| 2.2.3 界面态和边界陷阱密度的计算 | 第27-29页 |
| 2.3 漏电模型的分析 | 第29-33页 |
| 2.3.1 热电子发射模型 | 第30页 |
| 2.3.2 直接隧穿模型 | 第30-31页 |
| 2.3.3 F-N（Fowler-Nordheim）模型 | 第31-32页 |
| 2.3.4 F-P（Frenkel-poole）模型 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 不同厚度的HfO2/In AlAs MOS电容电学特性分析 | 第34-54页 |
| 3.1 生长的工艺过程 | 第34-40页 |
| 3.1.1 In As层的刻蚀 | 第34-36页 |
| 3.1.2 ALD淀积HfO2高k介质 | 第36-39页 |
| 3.1.3 电极生长 | 第39-40页 |
| 3.2 C-V和XPS特性分析 | 第40-48页 |
| 3.2.1 XPS特性 | 第40-45页 |
| 3.2.2 电容特性 | 第45-48页 |
| 3.3 漏电特性分析 | 第48-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 不同组分的高k/InAlAs MOS电容的电学特性分析 | 第54-72页 |
| 4.1 生长工艺过程 | 第54-56页 |
| 4.2 XPS和CV特性分析 | 第56-65页 |
| 4.2.1 XPS特性 | 第56-60页 |
| 4.2.2 电容特性 | 第60-65页 |
| 4.3 漏电特性分析 | 第65-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-72页 |
| 第五章 总结和展望 | 第72-78页 |
| 5.1 本文总结 | 第72-75页 |
| 5.2 研究展望 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |
| 1. 基本情况 | 第84页 |
| 2. 教育背景 | 第84页 |
| 3. 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第84-85页 |
