| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 论文的主要研究内容和架构 | 第10-12页 |
| 第二章 ESD防护基本单元的测试、特性及其TCAD仿真 | 第12-24页 |
| 2.1 ESD模型 | 第12-14页 |
| 2.2 ESD测试方法 | 第14-16页 |
| 2.3 ESD设计窗口 | 第16-17页 |
| 2.4 ESD防护基本单元的TCAD仿真 | 第17-22页 |
| 2.4.1 二极管 | 第18-19页 |
| 2.4.2 BJT | 第19-20页 |
| 2.4.3 MOS | 第20页 |
| 2.4.4 SCR | 第20-22页 |
| 2.4.5 LDMOS-SCR | 第22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 高压双向SCR结构ESD防护器件的设计与研究 | 第24-39页 |
| 3.1 高压双向SCR器件的TCAD仿真 | 第24-28页 |
| 3.1.1 n-p-n阱型双向SCR结构 | 第24-27页 |
| 3.1.2 p-n-p阱型双向SCR结构 | 第27-28页 |
| 3.2 p阱接地n-p-n阱型双向SCR结构的设计与实现 | 第28-35页 |
| 3.2.1 器件结构的设计与实现 | 第28-30页 |
| 3.2.2 器件的ESD防护特性分析 | 第30-32页 |
| 3.2.3 p阱宽度对器件ESD防护性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.4 器件结构的优化与分析 | 第33-35页 |
| 3.3 n阱接地的p-n-p阱型双向SCR结构的设计与分析 | 第35-37页 |
| 3.3.1 器件结构及其等效电路 | 第35-36页 |
| 3.3.2 器件ESD防护特性的仿真与分析 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 高压LDMOS-SCR结构ESD防护器件的设计与研究 | 第39-50页 |
| 4.1 内嵌反偏二极管的高压ESD防护器件的设计与仿真 | 第39-47页 |
| 4.1.1 器件设计及其制备 | 第39-40页 |
| 4.1.2 内嵌反偏二极管对LDMOS-SCR器件的影响 | 第40-44页 |
| 4.1.3 内嵌反偏二极管对SCR器件的影响 | 第44-47页 |
| 4.2 PMOS管触发高压LDMOS-SCR器件的设计与仿真 | 第47-48页 |
| 4.2.1 器件结构设计 | 第47页 |
| 4.2.2 PMOS管触发高压LDMOS-SCR器件的仿真分析 | 第47-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 总结 | 第50-51页 |
| 5.2 展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文和申请的专利 | 第57页 |
