| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| ·微电子封装技术 | 第11-14页 |
| ·微电子封装技术的发展历程 | 第11-12页 |
| ·FC/BGA封装技术 | 第12-14页 |
| ·微电子封装的可靠性问题 | 第14-15页 |
| ·微电子封装的失效模式及机理 | 第14页 |
| ·焊点的可靠性问题 | 第14-15页 |
| ·互连焊点电迁移问题的研究现状 | 第15-19页 |
| ·电迁移的驱动机制 | 第15-17页 |
| ·电迁移理论模型的研究现状 | 第17-18页 |
| ·焊点电迁移的研究现状 | 第18-19页 |
| ·研究的主要内容和意义 | 第19-21页 |
| 第2章 FCBGA的多物理场耦合分析 | 第21-37页 |
| ·微电子封装的多物理场耦合分析理论 | 第21-22页 |
| ·直接耦合方法 | 第21页 |
| ·间接耦合方法 | 第21-22页 |
| ·FCBGA多物理场耦合分析模型 | 第22-29页 |
| ·FCBGA几何结构 | 第23-24页 |
| ·有限元建模 | 第24-26页 |
| ·FCBGA封装材料 | 第26-28页 |
| ·FCBGA多物理场边界条件 | 第28-29页 |
| ·多物理场耦合计算结果及分析 | 第29-36页 |
| ·热-电耦合计算结果及分析 | 第29-33页 |
| ·结构计算结果及分析 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 FCBGA的电迁移失效静态模拟 | 第37-53页 |
| ·电迁移失效分析方法 | 第37-39页 |
| ·电迁移演化方程 | 第37-38页 |
| ·原子通量散度法(AFD) | 第38页 |
| ·原子密度积分法(ADI) | 第38-39页 |
| ·FCBGA焊点的电迁移失效分析 | 第39-46页 |
| ·基于AFD法的电迁移静态分析 | 第40-42页 |
| ·基于ADI法的电迁移静态分析 | 第42-46页 |
| ·FCBGA焊点电迁移试验的静态仿真及失效位置预测 | 第46-50页 |
| ·试验参数及条件 | 第46-47页 |
| ·不同试验环境下多场耦合分析结果 | 第47-49页 |
| ·不同试验环境下电迁移静态分析结果 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-53页 |
| 第4章 FCBGA的电迁移失效动态仿真 | 第53-63页 |
| ·电迁移空洞演化理论及实现 | 第53-56页 |
| ·空洞形成和扩展准则 | 第53页 |
| ·焊点的电迁移失效判据 | 第53-54页 |
| ·电迁移空洞演化的仿真实现 | 第54-56页 |
| ·FCBGA焊点电迁移空洞演化算法的验证 | 第56-60页 |
| ·单元网格密度对电迁移空洞演化的影响分析 | 第56-59页 |
| ·焊点电迁移空洞演化算法的验证 | 第59-60页 |
| ·正常服役条件下FCBGA焊点的电迁移寿命预测 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第5章 试验设计对电迁移的影响分析 | 第63-75页 |
| ·试验设计理论 | 第63-64页 |
| ·试验设计基础 | 第63-64页 |
| ·正交试验设计方法 | 第64页 |
| ·基于正交试验的FCBGA封装几何参数研究 | 第64-69页 |
| ·试验目的 | 第64页 |
| ·FCBGA模拟试验的有限元模型 | 第64-65页 |
| ·正交试验方案的确定 | 第65-66页 |
| ·电迁移模拟试验研究结果 | 第66-69页 |
| ·试验结果分析与结论 | 第69-71页 |
| ·不同焊料对电迁移的影响 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第6章 结论与展望 | 第75-77页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 攻读学位期间参加的科研项目和成果 | 第83页 |