GaSb薄膜模拟外延生长研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·计算机模拟薄膜外延生长研究现状 | 第10-12页 |
| ·薄膜生长的计算机模拟方法 | 第12-19页 |
| ·分子动力学方法 | 第12-15页 |
| ·第一性原理计算 | 第15-16页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第16-19页 |
| ·分子束外延技术(MBE) | 第19-22页 |
| ·分子束外延的原理 | 第19-20页 |
| ·分子束外延的设备结构 | 第20-21页 |
| ·分子束外延的主要特征 | 第21-22页 |
| ·MBE 生长GaSb 外延薄膜的影响因素 | 第22-24页 |
| ·衬底温度的影响 | 第22页 |
| ·沉积速率的影响 | 第22-23页 |
| ·V/III 束流比的影响 | 第23页 |
| ·衬底偏向角的影响 | 第23-24页 |
| ·本文研究的目的与主要内容 | 第24-26页 |
| ·本文研究的目的与意义 | 第24-25页 |
| ·研究工作的主要内容 | 第25-26页 |
| 第2章 薄膜的制备、模拟与分析方法 | 第26-34页 |
| ·MBE 设备简介 | 第26-27页 |
| ·薄膜的制备及表面监测 | 第27-29页 |
| ·MBE 工艺过程简述 | 第27-28页 |
| ·MBE 生长外延薄膜表面监测 | 第28-29页 |
| ·样品及其生长工艺参数 | 第29-30页 |
| ·分析测试方法 | 第30页 |
| ·计算机模拟外延生长模型 | 第30-31页 |
| ·程序的编写 | 第31-34页 |
| 第3章 计算机模拟外延薄膜生长过程 | 第34-50页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·计算机模拟薄膜生长过程 | 第34-39页 |
| ·不同沉积速率的薄膜生长过程 | 第35-38页 |
| ·不同衬底温度的薄膜生长过程 | 第38-39页 |
| ·沉积速率对薄膜生长的影响 | 第39-45页 |
| ·沉积速率对可观察面积的影响 | 第39-40页 |
| ·沉积速率对可活动原子数的影响 | 第40-42页 |
| ·沉积速率对粗糙度的影响 | 第42-44页 |
| ·沉积速率对前层面积的影响 | 第44页 |
| ·沉积速率对同时生长层数的影响 | 第44-45页 |
| ·衬底温度对薄膜生长的影响 | 第45-48页 |
| ·衬底温度对粗糙度的影响 | 第45-47页 |
| ·衬底温度对前层面积的影响 | 第47页 |
| ·衬底温度对同时生长层数的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 GaSb 薄膜的外延生长 | 第50-59页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·RHEED 监测GaSb 外延薄膜的生长 | 第50-53页 |
| ·GaSb 薄膜的外延生长 | 第50-51页 |
| ·GaSb 薄膜外延生长速率的计算 | 第51-53页 |
| ·生长速率对GaSb 薄膜形貌的影响 | 第53-55页 |
| ·衬底温度对GaSb 薄膜形貌的影响 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录 | 第64-71页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文原创性声明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
