CMOS集成电路抗辐射加固工艺技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·课题背景及研究的目的和意义 | 第9页 |
| ·论文课题的来源 | 第9页 |
| ·国内外研究现状和CMOS集成电路的发展 | 第9-13页 |
| ·辐射环境 | 第9-10页 |
| ·辐射效应 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·CMOS集成电路的发展 | 第12-13页 |
| ·主要研究内容 | 第13页 |
| ·本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 COMS集成电路抗电离辐射技术研究 | 第14-28页 |
| ·CMOS电路电离辐射效应及其机理 | 第14-17页 |
| ·辐射感生陷阱电荷 | 第14-15页 |
| ·MOS器件的特性变化 | 第15-17页 |
| ·CMOS电路的抗辐射加固工艺技术 | 第17-27页 |
| ·栅氧化层的加固 | 第17-20页 |
| ·栅氧后的高温过程的影响 | 第20-21页 |
| ·源/漏制备技术 | 第21-23页 |
| ·钝化层的影响 | 第23页 |
| ·场区加固技术 | 第23-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 COMS集成电路的单粒子效应 | 第28-43页 |
| ·单粒子效应模型 | 第28-31页 |
| ·电荷聚集模型 | 第28-29页 |
| ·粒子分流模型 | 第29-30页 |
| ·电荷横向迁移模型 | 第30-31页 |
| ·高能粒子的单粒子效应损伤机理 | 第31-36页 |
| ·α粒子引起的单粒子效应损伤 | 第31-32页 |
| ·高能中子的单粒子效应 | 第32-34页 |
| ·高能质子的单粒子效应 | 第34-35页 |
| ·重粒子引起的单粒子损伤 | 第35-36页 |
| ·CMOS器件的单粒子效应 | 第36-39页 |
| ·CMOS器件的单粒子扰动机理 | 第36-37页 |
| ·CMOS器件的单粒子闭锁 | 第37-39页 |
| ·CMOS器件的抗单粒子加固技术 | 第39-42页 |
| ·抗单粒子的工艺加固技术 | 第39-40页 |
| ·阱-源结构 | 第40-41页 |
| ·抗单粒子加固的电路设计 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 星用CPU抗辐射加固电路的研制 | 第43-47页 |
| ·80C86 CPU的结构 | 第43-44页 |
| ·80C86 CPU抗辐射加固电路的研制 | 第44-46页 |
| ·设计规则 | 第44页 |
| ·设计中解决的主要问题 | 第44-45页 |
| ·80C86的制造工艺 | 第45页 |
| ·工艺上采取的主要措施 | 第45页 |
| ·CPU电路抗电离辐射和抗单粒子效应的试验结果 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 工程硕士研究生个人简历 | 第52页 |
