| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-11页 |
| ·碳化硅材料的优势 | 第9-10页 |
| ·4H-SiC MESFET的研究意义 | 第10-11页 |
| ·4H-SiC MESFET研究现状与存在的问题 | 第11-13页 |
| ·国内外的研究现状 | 第11-12页 |
| ·需要解决的问题 | 第12-13页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第13-15页 |
| 第二章 碳化硅材料特性及其MESFET器件直流特性的研究 | 第15-38页 |
| ·碳化硅材料基本特性 | 第15-24页 |
| ·晶格结构和能带结构 | 第15-16页 |
| ·有效质量与本征载流子浓度 | 第16-17页 |
| ·碰撞离化和临界电场 | 第17-19页 |
| ·热导率和介电常数 | 第19页 |
| ·杂质不完全离化 | 第19-20页 |
| ·低场迁移率 | 第20-21页 |
| ·各向异性 | 第21-22页 |
| ·高场传输特性 | 第22-24页 |
| ·MESFET器件直流特性 | 第24-36页 |
| ·基本方程与基本方法 | 第24-27页 |
| ·MESFET器件的基本结构和I-V特性 | 第27-28页 |
| ·MESFET器件高温特性 | 第28-29页 |
| ·MESFET器件击穿特性 | 第29-31页 |
| ·MESFET器件各向异性 | 第31-32页 |
| ·MESFET直流解析模型 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 4H-SiC MESFET射频小信号模型及非线性模型分析 | 第38-57页 |
| ·小信号模型 | 第38-48页 |
| ·正弦稳态分析法 | 第39-40页 |
| ·等效电路模型与参数提取 | 第40-44页 |
| ·4H-SiC MESFET射频小信号特性分析 | 第44-48页 |
| ·4H-SiC MESFET大信号非线性模型 | 第48-56页 |
| ·非线性分析基本方法 | 第48-53页 |
| ·4H-SiC MESFET非线性失真分析 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 4H-SiC MESFET特性影响因素的模拟研究 | 第57-79页 |
| ·肖特基接触的影响 | 第57-64页 |
| ·界面态对4H-SiC肖特基特性的影响 | 第58-61页 |
| ·4H-SiC肖特基接触非均匀 | 第61-64页 |
| ·自热效应的影响 | 第64-66页 |
| ·陷阱效应的影响及建模 | 第66-78页 |
| ·碳化硅材料中的陷阱参数的提取 | 第67-73页 |
| ·陷阱效应对器件射频特性的影响 | 第73-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 4H-SiC MESFET工艺研究与优化设计 | 第79-96页 |
| ·碳化硅MESFET工艺研究 | 第79-92页 |
| ·工艺选择 | 第79-81页 |
| ·版图设计 | 第81-84页 |
| ·实验结果分析 | 第84-92页 |
| ·碳化硅MESFET结构优化设计 | 第92-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 总结 | 第96-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第113-115页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目及获奖情况 | 第115-116页 |
| 附录A MEDICI软件中定义的4H-SiC MESFET参数表 | 第116-117页 |
| 附录B 碳化硅MESFET等效电路导纳参数表 | 第117-118页 |
| 附录C 考虑陷阱效应的导纳参数表 | 第118-119页 |
