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超深亚微米集成电路制造过程中光学邻近效应模拟的研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-6页
目录第6-9页
第一章 绪论第9-16页
 1.1 集成电路发展概况第9-10页
 1.2 集成电路设计技术的发展第10-11页
 1.3 集成电路的生产工艺第11-12页
 1.4 超深亚微米集成电路制造工艺下出现的问题第12-13页
 1.5 目前世界上的研究水平第13-15页
 1.6 本文完成的主要工作第15-16页
第二章 集成电路的生产流程及其工艺第16-27页
 2.1 集成电路制造简介第16页
 2.2 光刻胶的制备第16-18页
 2.3 光刻成像过程第18-19页
 2.4 蚀刻过程第19-21页
 2.5 掩模第21-22页
 2.6 光刻分辨率增强技术第22-27页
  2.6.1 移相掩模第23-25页
  2.6.2 光学邻近校正第25-27页
第三章 光刻机模拟系统实现第27-40页
 3.1 光刻机系统描述第27页
 3.2 光刻机系统I/O第27-28页
 3.3 模拟系统的实现第28-40页
  3.3.1 纯光学模拟系统第28-31页
   3.3.1.1 光刻机光学系统描述第28页
   3.3.1.2 光学成像系统的I/O第28-29页
   3.3.1.3 光学成像理论推导第29-30页
   3.3.1.4 光学成像系统的系统函数第30页
   3.3.1.5 光学成像系统的系统函数的计算第30-31页
   3.3.1.6 光学成像系统的系统函数的实现流程第31页
  3.3.2 考虑了光刻胶厚度的光刻系统第31-33页
   3.3.2.1 光刻胶厚度对光刻成像的影响第31-32页
   3.3.2.2 考虑光刻胶厚度的光刻系统的I/O第32页
   3.3.2.3 离焦第32页
   3.3.2.4 考虑离焦的光刻系统函数的调整公式第32-33页
   3.3.2.5 考虑光刻胶厚度的光刻系统模型的实现第33页
  3.3.3 光刻胶的显影、烘烤模型第33-35页
   3.3.3.1 系统描述第33-34页
   3.3.3.2 模型的I/O第34页
   3.3.3.3 高斯模型第34页
   3.3.3.4 简化的高斯模型第34-35页
   3.3.3.5 包含光刻胶显影、烘烤模型的光刻机模拟系统实现第35页
  3.3.4 优化模拟光学系统的参数第35-40页
   3.3.4.1 光学系统参数优化的必要性第35-36页
   3.3.4.2 优化的流程第36页
   3.3.4.3 测试模版第36-37页
   3.3.4.4 优化的目标函数第37-38页
   3.3.4.5 优化的算法第38-40页
第四章 快速点光强计算第40-52页
 4.1 点光强计算的必要性第40页
 4.2 点光强计算的I/O第40页
 4.3 快速点光强计算的方法第40-41页
 4.4 点光强计算的理论基础第41-42页
 4.5 快速点光强计算的实现第42-47页
  4.5.1 空间卷积核第42-43页
  4.5.2 建立光强贡献表第43页
  4.5.3 光强贡献表的使用方法第43-45页
  4.5.4 利用光强贡献表求点光强的程序流程第45-46页
  4.5.5 查表法对不同掩模条件的统一化处理第46-47页
 4.6 点光强计算的应用第47-52页
  4.6.1 已知光刻阈值求关键尺寸第47-48页
  4.6.2 已知关键尺寸求光刻阈值第48-49页
  4.6.3 模拟光刻二维轮廓线提取第49-52页
   4.6.3.1 二维轮廓线提取的问题描述第49页
   4.6.3.2 解决方案第49-51页
   4.6.3.3 程序实现流程第51页
   4.6.3.4 二维轮廓线提取的意义第51-52页
第五章 蚀刻模拟系统第52-55页
 5.1 蚀刻过程描述第52页
 5.2 蚀刻模拟系统I/O第52页
 5.3 蚀刻模拟系统的实现第52-55页
  5.3.1 变偏差蚀刻模型(VBM)第52-53页
  5.3.2 变偏差蚀刻模型的程序实现第53页
  5.3.3 快速的VBM所需参数的提取第53-55页
第六章 结果讨论第55-64页
 6.1 完整的模拟光刻过程第55页
 6.2 模拟系统的使用方法第55-60页
  6.2.1 光刻机系统的建立第55-56页
  6.2.2 光刻机系统的优化第56-59页
  6.2.3 蚀刻模拟系统的建立第59-60页
  6.2.4 光强贡献表的建立第60页
 6.3 模拟光刻系统的使用效果第60-61页
 6.4 总结和展望第61-64页
参考文献第64-68页
作者在学期间发表的论文第68-69页
致谢第69页

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