基于锗悬空微桥结构准双异质结发光性能分析
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 Ge光源的研究 | 第11-14页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 2 应变Ge的能带结构 | 第16-34页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 应变的引入方法 | 第16-19页 |
| 2.3 能带计算理论 | 第19-25页 |
| 2.3.1 微扰理论 | 第20-21页 |
| 2.3.2 kp理论 | 第21-22页 |
| 2.3.3 应变Ge哈密顿量 | 第22-25页 |
| 2.4 应变Ge的能带结构及有效质量 | 第25-33页 |
| 2.4.1 应变对能带结构的影响 | 第25-28页 |
| 2.4.2 应变条件下禁带宽度的变化 | 第28页 |
| 2.4.3 应变条件下的有效质量 | 第28-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 准双异质结的电传输特性分析 | 第34-43页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 悬空微桥应变量分布 | 第34-36页 |
| 3.3 漂移扩散模型 | 第36-38页 |
| 3.4 电传输特性分析 | 第38-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 内量子效率和透明电流密度 | 第43-60页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 辐射跃迁 | 第43-45页 |
| 4.3 非辐射跃迁 | 第45-47页 |
| 4.3.1 SRH复合 | 第45-46页 |
| 4.3.2 俄歇复合 | 第46-47页 |
| 4.4 自由载流子吸收 | 第47页 |
| 4.5 Ge的光学性质分析 | 第47-58页 |
| 4.5.1 费米能级与载流子分布 | 第47-49页 |
| 4.5.2 自发辐射谱与内量子效率 | 第49-52页 |
| 4.5.3 光增益 | 第52-53页 |
| 4.5.4 吸收 | 第53-56页 |
| 4.5.5 透明电流密度 | 第56-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 5 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60页 |
| 5.2 展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录 攻硕期间发表的学术论文及参加的科研项目 | 第67页 |
