| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 集成电路的发展和挑战 | 第6-13页 |
| 1.1 集成电路发展的历史及趋势 | 第6-9页 |
| 1.1.1 什么是集成电路 | 第6页 |
| 1.1.2 集成电路的分类 | 第6-7页 |
| 1.1.3 集成电路发展的历史 | 第7-9页 |
| 1.2 什么是颗粒污染 | 第9-10页 |
| 1.3 颗粒污染的分析工具 | 第10-13页 |
| 第二章 氮化硅制造工艺及其造成颗粒污染的研究 | 第13-21页 |
| 2.1 薄膜淀积制造工艺 | 第13-17页 |
| 2.1.1 LPCVD淀积氮化硅 | 第15-16页 |
| 2.1.2 PECVD淀积氮化硅 | 第16-17页 |
| 2.2 薄膜淀积制造工艺参数设定与颗粒污染的关系 | 第17-21页 |
| 2.2.1 氮化硅薄膜生长前 | 第17-19页 |
| 2.2.2 氮化硅薄膜生长中 | 第19页 |
| 2.2.3 氮化硅薄膜生长后 | 第19-21页 |
| 第三章 LPCVD设备及其造成颗粒污染关系的研究 | 第21-30页 |
| 3.1 薄膜淀积制造设备的介绍 | 第21-22页 |
| 3.2 薄膜淀积制造设备与颗粒污染的关系 | 第22-30页 |
| 3.2.1 反应腔体 | 第22-24页 |
| 3.2.2 晶圆储存与传输系统 | 第24-26页 |
| 3.2.3 气压控制系统 | 第26-28页 |
| 3.2.4 气体控制系统 | 第28-30页 |
| 第四章 颗粒污染的形成机理和判定方法 | 第30-36页 |
| 4.1 氮化硅薄膜剥落型颗粒的机理分析 | 第30-33页 |
| 4.2 氮化硅生长工艺中的副产物NH_4Cl | 第33-34页 |
| 4.3 小包状颗粒污染的机理分析 | 第34-36页 |
| 第五章 氮化硅薄膜生产中主要的颗粒污染改善方法 | 第36-43页 |
| 5.1 氮化硅薄膜剥落问题的解决方案 | 第36-39页 |
| 5.2 反应副产物NH_4Cl结晶的问题 | 第39-41页 |
| 5.2.1 后段真空管路NH_4Cl结晶回灌的问题 | 第39-40页 |
| 5.2.2 残留气体在晶圆表面结晶的问题 | 第40-41页 |
| 5.3 氮化硅炉管工艺颗粒污染的综合解决方案 | 第41-42页 |
| 5.4 综合解决方案的有效性验证 | 第42-43页 |
| 第六章 结束语 | 第43-44页 |
| 6.1 成果总结 | 第43页 |
| 6.2 后续研究 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |