| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·本论文的内容和结构 | 第9-11页 |
| 第二章 应变 Si/应变 SiGe 技术 | 第11-29页 |
| ·应变产生机制 | 第11-14页 |
| ·应变 Si 物理特性 | 第14-18页 |
| ·应变 Si 载流子有效质量 | 第14-15页 |
| ·应变 Si 有效状态密度与本征载流子浓度 | 第15-16页 |
| ·应变 Si 迁移率 | 第16-18页 |
| ·应变 SiGe 物理特性 | 第18-21页 |
| ·应变 SiGe 载流子有效质量 | 第18-19页 |
| ·应变 SiGe 有效状态密度和本征载流子浓度 | 第19-20页 |
| ·应变 SiGe 迁移率 | 第20-21页 |
| ·应变引入技术 | 第21-28页 |
| ·双轴应变技术 | 第21-25页 |
| ·单轴应变技术 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 双轴应变 Si/应变 SiGe MOS器件电学特性研究 | 第29-53页 |
| ·应变 Si/SiGe 异质结及能带图结构 | 第29-31页 |
| ·表面沟道应变 Si NMOS | 第31-37页 |
| ·表面沟道应变 Si NMOS 阈值电压 | 第31-34页 |
| ·表面沟道应变 Si NMOS 直流特性和跨导 | 第34-35页 |
| ·表面沟道应变 Si NMOS 模拟分析 | 第35-37页 |
| ·应变 SiGe NMOS | 第37-44页 |
| ·应变 SiGe NMOS 阈值电压 | 第37-41页 |
| ·应变 SiGe NMOS 直流特性和跨导 | 第41-42页 |
| ·应变 SiGe NMOS 模拟分析 | 第42-44页 |
| ·应变 SiGe 量子阱沟道 PMOS | 第44-51页 |
| ·应变 SiGe 量子阱沟道 PMOS 阈值电压 | 第45-49页 |
| ·应变 SiGe 量子阱沟道 PMOS 直流特性和跨导 | 第49-50页 |
| ·应变 SiGe 量子阱沟道 PMOS 模拟分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 双轴应变 Si/应变 SiGe COMS 器件结构设计及实现 | 第53-69页 |
| ·双轴应变 Si/应变 SiGe COMS 的结构 | 第53-54页 |
| ·应变 SiGe CMOS 设计 | 第54-59页 |
| ·应变 SiGe CMOS 结构参数设计 | 第54-55页 |
| ·器件结构参数优化设计 | 第55-58页 |
| ·应变 SiGe CMOS 反相器仿真结果 | 第58-59页 |
| ·硅基应变 CMOS 关键工艺 | 第59-65页 |
| ·SiGe 外延层的生长 | 第59-61页 |
| ·SiO2淀积工艺 | 第61-62页 |
| ·退火技术 | 第62-64页 |
| ·器件制作工艺流程 | 第64-65页 |
| ·应变 Si CMOS 设计与制备 | 第65-67页 |
| ·应变 Si CMOS 结构参数设计 | 第65-66页 |
| ·应变 Si CMOS 版图设计 | 第66-67页 |
| ·应变 Si CMOS 反相器测试结果 | 第67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 研究成果 | 第79-80页 |
