| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·GaN 及其异质结材料的研究背景 | 第11-14页 |
| ·GaN 基材料的特性与优势 | 第11-13页 |
| ·GaN 基材料的研究历程 | 第13-14页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的研究现状 | 第14页 |
| ·本文研究的意义和主要研究内容 | 第14-17页 |
| 第二章 AlGaN/GaN 异质结结构的器件机理及表征手段 | 第17-29页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件结构及机理 | 第17-20页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件结构 | 第17-18页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的基本原理 | 第18-19页 |
| ·极化效应 | 第19-20页 |
| ·表征手段 | 第20-27页 |
| ·原子力显微镜 (AFM) | 第20-21页 |
| ·高分辨 X 射线衍射(HRXRD)技术 | 第21-24页 |
| ·拉曼光谱测试（Raman） | 第24-25页 |
| ·范德堡 Hall 测试 | 第25-26页 |
| ·TLM 测试 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 不同缓冲层厚度的 AlGaN/GaN 异质结生长与表征 | 第29-43页 |
| ·不同缓冲层厚度的 AlGaN/GaN 异质结结构的设计与生长 | 第29-30页 |
| ·不同缓冲层厚度的 AlGaN/GaN 异质结结构的表征 | 第30-41页 |
| ·缓冲层厚度对 AlGaN/GaN 异质结表面形貌的影响 | 第30-31页 |
| ·缓冲层厚度对 AlGaN/GaN 异质结应力状态的影响 | 第31-32页 |
| ·缓冲层厚度对 AlGaN/GaN 异质结晶格质量的影响 | 第32-35页 |
| ·缓冲层厚度及温度对 AlGaN/GaN 异质结电学特性的影响 | 第35-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 位错对 AlGaN/GaN 异质结器件性能的影响 | 第43-55页 |
| ·GaN 基异质结 HEMT 器件制备 | 第43-45页 |
| ·位错密度对欧姆接触电阻(Rc)的影响 | 第45-47页 |
| ·欧姆接触的形成机理 | 第46页 |
| ·TLM 测试 | 第46-47页 |
| ·位错对 AlGaN/GaN 异质结肖特基特性的影响 | 第47-50页 |
| ·位错对 AlGaN/GaN 异质结输出及转移特性的影响 | 第50-53页 |
| ·位错对 AlGaN/GaN 异质结输出特性的影响 | 第50页 |
| ·位错对 AlGaN/GaN 异质结转移特性的影响 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结束语 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士期间的科研成果和参加的科研项目 | 第67-69页 |
