首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--设计论文

DDR SDRAM接口设计与静态时序分析

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-13页
   ·选题背景及研究意义第7-9页
     ·控制器接口的设计第7页
     ·控制器接口的时序收敛第7-9页
   ·源同步接口设计和内部路径法第9-11页
     ·源同步接口设计第9页
     ·内部路径法第9-11页
   ·研究的主要内容及结构安排第11-13页
第二章 DDR SDRAM工作原理研究第13-23页
   ·DDR SDRAM简介第13页
   ·DDR SDRAM内部结构第13-15页
   ·DDR SDRAM内存频率第15页
   ·DDR SDRAM信号分类第15-17页
   ·DDR SDRAM差分时钟第17-19页
   ·DDR SDRAM数据选取脉冲第19-20页
   ·DDR SDRAM读操作第20页
   ·DDR SDRAM写操作第20-23页
第三章 DDR SDRAM控制器设计分析第23-33页
   ·DDR SDRAM控制器的时钟设计第24-25页
   ·DDR SDRAM控制器的DQS设计第25页
   ·DDR SDRAM控制器的DLL设计第25-29页
   ·DDR SDRAM控制器读通路设计第29页
   ·DDR SDRAM控制器写通路设计第29-33页
第四章 DDR SDRAM接口的时序收敛第33-55页
   ·静态时序分析简单介绍第33-37页
     ·静态时序分析的基本概念第33-37页
     ·STAMP Model简介第37页
   ·DDR SDRAM接口静态时序分析流程第37-43页
     ·静态时序分析流程概况第38-39页
     ·静态时序分析时钟域第39页
     ·静态时序分析设计要求第39-40页
     ·静态时序分析存储器建模第40-42页
     ·静态时序分析中的DLL处理第42页
     ·静态时序分析中的外部负载处理第42-43页
   ·DDR SDRAM接口读操作时序分析第43-48页
     ·读时钟定义第43-44页
     ·DLL延时线约束设置第44页
     ·读操作时序检查第44-45页
     ·伪路径和多周期路径约束设置第45-47页
     ·STAMP时序模型读参数第47页
     ·读操作时序报告第47-48页
   ·DDR SDRAM接口写操作时序分析第48-52页
     ·写时钟定义第48页
     ·DLL延时线约束设置第48-49页
     ·写操作时序检查第49-50页
     ·伪路径和多周期路径约束设置第50页
     ·STAMP时序模型写参数第50-51页
     ·写操作时序报告第51-52页
   ·DDR SDRAM接口其他时序分析第52-53页
   ·常见时序收敛问题的处理方法第53-55页
第五章 总结与展望第55-57页
致谢第57-59页
参考文献第59-63页
附录A第63-69页
附录B第69-81页
附录C第81-89页

论文共89页,点击 下载论文
上一篇:GSM芯片的逻辑物理综合与验证
下一篇:智能卡芯片的抗功耗攻击研究