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硅通孔互连技术的可靠性研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
第一章 引言第8-18页
   ·集成电路封装的发展第8-9页
   ·基于硅通孔的三维集成(3D Integration)技术第9-11页
   ·硅通孔技术的工艺流程第11-15页
     ·减薄工艺第12-13页
     ·通孔工艺第13-14页
     ·TSV键合技术第14-15页
   ·硅通孔互连技术的可靠性第15-16页
   ·国内外研究现状第16-17页
   ·本文的研究内容第17-18页
第二章 热-机械可靠性第18-38页
   ·概述第18页
   ·试验方法第18-24页
     ·试验样品第18-22页
     ·温度循环试验第22-23页
     ·温度冲击试验第23-24页
   ·试验结果与讨论第24-30页
     ·温度循环试验结果第24-25页
     ·温度冲击试验结果第25-30页
   ·温度冲击试验有限元分析第30-36页
     ·有限元法的基本思想第30-32页
     ·有限元模型与参数第32-33页
     ·有限元模拟的结果第33-36页
   ·本章小结第36-38页
第三章 力学可靠性第38-50页
   ·概述第38页
   ·试验方法第38-42页
     ·试验样品第38-40页
     ·板级跌落试验第40-42页
   ·结果与讨论第42-49页
     ·稳态跌落测试结果第42-43页
     ·瞬态跌落测试结果第43-46页
     ·失效分析第46-49页
   ·本章小结第49-50页
第四章 湿热可靠性第50-57页
   ·概述第50页
   ·试验样品与方法第50-51页
     ·试验样品第50-51页
     ·试验方法第51页
   ·结果与讨论第51-56页
     ·开路失效样品失效分析第52-53页
     ·短路失效样品失效分析第53-56页
   ·本章小结第56-57页
第五章 结论第57-59页
参考文献第59-63页
致谢第63-64页

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