| 第一章 ZnO材料概述 | 第1-14页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·ZnO材料的结构和基本性质 | 第8-9页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第9-10页 |
| ·发光二极管(LED) | 第9页 |
| ·2 紫外探测器 | 第9-10页 |
| ·声表面波(SAW)器件 | 第10页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第10-11页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第10页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第10-11页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第11页 |
| ·溶胶一凝胶法(S-G) | 第11页 |
| ·ZnO材料的研究状况与进展 | 第11-13页 |
| ·本课题的主要研究内容与意义 | 第13-14页 |
| 第二章 PLD技术制备 ZnO薄膜与表征方法 | 第14-23页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第14-15页 |
| ·脉冲激光沉积系统 | 第15-17页 |
| ·激光光源 | 第15-17页 |
| ·沉积系统 | 第17页 |
| ·制备工艺条件对薄膜生长的影响 | 第17-18页 |
| ·氧气压强 | 第17-18页 |
| ·衬底温度 | 第18页 |
| ·源基距 | 第18页 |
| ·ZnO薄膜的制备工艺 | 第18-20页 |
| ·ZnO薄膜性质表征 | 第20-23页 |
| ·ZnO薄膜的结构表征 | 第20-21页 |
| ·ZnO膜的发光特性表征 | 第21-23页 |
| 第三章 不同条件下生长ZnO薄膜的结构和发光特性 | 第23-41页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·生长温度对Zno薄膜结构的影响 | 第24-31页 |
| ·实验过程 | 第24-25页 |
| ·样品的XRD分析 | 第25-27页 |
| ·样品的表面形貌 | 第27-31页 |
| ·氧气氛压强对ZnO薄膜结构的影响 | 第31-35页 |
| ·实验过程 | 第31页 |
| ·样品的XRD分析 | 第31-34页 |
| ·样品的表面形貌 | 第34-35页 |
| ·ZnO发光特性研究 | 第35-39页 |
| ·不同温度下生长样品的发光特性 | 第35-36页 |
| ·不同生长氧气氛压强样品的发光特性 | 第36页 |
| ·ZnO发光机理分析 | 第36-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第四章 在同质缓冲层上生长ZnO薄膜的结构和发光特性 | 第41-49页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·在同质缓冲层上生长ZnO薄膜 | 第42-43页 |
| ·缓冲层生长条件的选择 | 第42页 |
| ·样品的制备 | 第42-43页 |
| ·ZnO薄膜的结构和光学性质 | 第43-48页 |
| ·样品的XRD分析 | 第43-45页 |
| ·样品的表面形貌 | 第45页 |
| ·样品的光致发光特性 | 第45-46页 |
| ·缓冲层外延生长模型 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 全文总结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 发表过的论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |