| 第一章 引言 | 第1-16页 |
| ·功率MOSFET 的发展 | 第10-13页 |
| ·硅工艺技术的发展 | 第13-14页 |
| ·本文主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 均匀P 降场层Double RESURF LDMOS | 第16-31页 |
| ·器件结构 | 第16-18页 |
| ·场板技术 | 第17-18页 |
| ·RESURF 技术 | 第18页 |
| ·器件耐压分析 | 第18-19页 |
| ·Double RESRUF 的电荷平衡 | 第19-23页 |
| ·器件二维数值分析 | 第23-29页 |
| ·漂移区长度的影响 | 第23-24页 |
| ·漂移区浓度的影响 | 第24页 |
| ·P 降场层浓度的影响 | 第24-26页 |
| ·P 降场层长度的影响 | 第26-27页 |
| ·导通电阻分析 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 P 型多环结构的Double RESURF LDMOS | 第31-42页 |
| ·器件结构 | 第31页 |
| ·器件耐压分析 | 第31-33页 |
| ·器件二维数值分析 | 第33-35页 |
| ·P 型多环结构的工艺实现 | 第35页 |
| ·工艺模拟 | 第35-37页 |
| ·版图设计 | 第37-41页 |
| ·源漏结终端设计 | 第37-39页 |
| ·栅电极设计 | 第39-40页 |
| ·SENSE 端设计 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 电源管理电路 BCD 工艺设计 | 第42-48页 |
| ·高/低压兼容工艺的设计 | 第42-44页 |
| ·电路版图设计规则 | 第44-46页 |
| ·单层规则 | 第45页 |
| ·层间规则 | 第45-46页 |
| ·低压管版图设计 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 实验及结果分析 | 第48-60页 |
| ·LDMOS 单步实验 | 第48-49页 |
| ·高压管测试结果与分析 | 第49-54页 |
| ·低压管测试结果与分析 | 第54-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 个人简历 | 第66页 |