| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第15-17页 |
| 1.2 国内外研究现状及趋势 | 第17-29页 |
| 1.2.1 微纳机电系统的现状及趋势 | 第17-19页 |
| 1.2.2 光刻技术工艺现状及趋势 | 第19-22页 |
| 1.2.3 电子束光刻工艺现状及趋势 | 第22-26页 |
| 1.2.4 电子束光刻技术的关键工艺问题现状及趋势 | 第26-29页 |
| 1.3 课题来源及主要研究内容 | 第29-31页 |
| 1.3.1 课题来源 | 第29页 |
| 1.3.2 主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第2章 电子束光刻的基本理论与关键技术分析 | 第31-45页 |
| 2.1 电子束曝光系统的分析 | 第31-34页 |
| 2.1.1 电子束曝光系统的分类 | 第31-32页 |
| 2.1.2 电子束曝光系统的组成 | 第32-34页 |
| 2.2 电子抗蚀剂的分析 | 第34-42页 |
| 2.2.1 电子抗蚀剂的分类 | 第34-36页 |
| 2.2.2 正性电子抗蚀剂的性能分析 | 第36-39页 |
| 2.2.3 负性电子抗蚀剂的性能分析 | 第39-42页 |
| 2.3 电子束光刻技术的工艺问题分析 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第3章 电荷积累的产生机理及导电胶抑制的研究 | 第45-61页 |
| 3.1 绝缘衬底对电子束光刻的影响 | 第45-47页 |
| 3.1.1 问题提出 | 第45页 |
| 3.1.2 电荷积累产生的影响 | 第45-47页 |
| 3.2 电荷积累机理分析及模型构建 | 第47-51页 |
| 3.2.1 测试图形的偏移分析 | 第48-49页 |
| 3.2.2 图形偏移的物理模型构建 | 第49-51页 |
| 3.3 可溶性导电胶抑制电荷积累的研究 | 第51-60页 |
| 3.3.1 可溶性导电胶的特性分析 | 第51-52页 |
| 3.3.2 实验过程与方法 | 第52-54页 |
| 3.3.3 测试结果与分析 | 第54-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 电磁波热效应抑制图形坍塌与粘连的研究 | 第61-79页 |
| 4.1 图形坍塌及粘连的机理 | 第61-65页 |
| 4.1.1 问题提出 | 第61-62页 |
| 4.1.2 去离子水的表面张力 | 第62-63页 |
| 4.1.3 去离子水诱发图形坍塌及粘连的机理 | 第63-65页 |
| 4.2 抗蚀剂图形的实验 | 第65-71页 |
| 4.2.1 高高宽比HSQ抗蚀剂图形的实验设计与仪器制造 | 第65-68页 |
| 4.2.2 图形坍塌和粘连的实验结果 | 第68-71页 |
| 4.3 电磁波热效应干燥机理及抑制效果分析 | 第71-78页 |
| 4.3.1 电磁波激励产生交变电场的参数设计 | 第71-73页 |
| 4.3.2 电磁波的热效应干燥机理 | 第73-76页 |
| 4.3.3 电磁波热效应的抑制效果分析 | 第76-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第5章 电子束光刻中邻近效应的校正方法及优化 | 第79-103页 |
| 5.1 电子束光刻中邻近效应的产生机理与校正函数优化 | 第79-85页 |
| 5.1.1 问题提出 | 第79-80页 |
| 5.1.2 邻近效应的产生机理 | 第80-81页 |
| 5.1.3 邻近效应校正函数的优化构建 | 第81-85页 |
| 5.2 电子束曝光邻近效应的实验现象分析 | 第85-91页 |
| 5.2.1 曝光邻近效应的电子运行轨迹模拟仿真 | 第85-89页 |
| 5.2.2 邻近效应的实验现象分析 | 第89-91页 |
| 5.3 电子束曝光邻近效应的校正方法及结果分析 | 第91-102页 |
| 5.3.1 工艺校正方法及效果分析 | 第92-96页 |
| 5.3.2 非工艺校正方法及效果分析 | 第96-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-103页 |
| 结论 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-116页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
