| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第16-21页 |
| 1.1.1 集成电路失效机理与单粒子效应 | 第16-18页 |
| 1.1.2 平面器件和三维FinFET器件的发展 | 第18-20页 |
| 1.1.3 单粒子效应及其研究面临的挑战 | 第20-21页 |
| 1.2 单粒子效应研究现状与问题 | 第21-23页 |
| 1.2.1 单粒子效应相关研究 | 第21-22页 |
| 1.2.2 单粒子效应研究的不足 | 第22-23页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第23-26页 |
| 第二章 单粒子效应电荷收集与数值模拟 | 第26-34页 |
| 2.1 辐射环境及相关辐射源 | 第26-29页 |
| 2.1.1 空间辐射环境 | 第26-27页 |
| 2.1.2 核辐射环境 | 第27-28页 |
| 2.1.3 大气及工艺辐射环境 | 第28-29页 |
| 2.2 单粒子效应电荷收集 | 第29-32页 |
| 2.2.1 电荷产生过程 | 第29-30页 |
| 2.2.2 电荷收集机理 | 第30-32页 |
| 2.2.3 电荷收集模型 | 第32页 |
| 2.3 单粒子效应的数值模拟 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 FinFET器件单粒子效应仿真分析与研究 | 第34-50页 |
| 3.1 FinFET器件单粒子效应仿真模型 | 第34-36页 |
| 3.2 FinFET器件单粒子瞬态特性仿真分析 | 第36-45页 |
| 3.2.1 Bulk/SOI不同工艺对SET的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.2 漏极掺杂浓度对SET的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.3 入射粒子LET值对SET的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.4 漏极偏置电压对SET的影响 | 第42-45页 |
| 3.3 FinFET SRAM单粒子翻转特性仿真分析 | 第45-48页 |
| 3.3.1 FinFET器件校准 | 第45-46页 |
| 3.3.2 FinFET SRAM单元电路模拟 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 FinFET器件单粒子效应双极放大机理研究 | 第50-64页 |
| 4.1 重离子入射位置与双极放大效应的关联讨论 | 第50-53页 |
| 4.1.1 粒子入射位置敏感性分析 | 第50-52页 |
| 4.1.2 入射位置对双极放大增益的影响 | 第52-53页 |
| 4.2 源极掺杂浓度与双极放大效应的关联讨论 | 第53-55页 |
| 4.3 器件结构与双极放大效应的关联讨论 | 第55-63页 |
| 4.3.1 栅长对双极放大效应的影响 | 第55-57页 |
| 4.3.2 Fin高对双极放大效应的影响 | 第57-60页 |
| 4.3.3 Fin宽对双极放大效应的影响 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 工作总结 | 第64-65页 |
| 5.2 工作展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |
