半导体级直拉法的工艺控制
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 硅的物理、化学及半导体性质 | 第10-13页 |
| 1.1 硅的物理性质 | 第10-11页 |
| 1.2 硅的化学性质 | 第11页 |
| 1.3 硅的半导体性质 | 第11-13页 |
| 2 直拉单晶硅的生长技术 | 第13-16页 |
| 2.1 区熔单晶硅 | 第13-14页 |
| 2.2 直拉单晶硅 | 第14-16页 |
| 3 CZ直拉法生长系统 | 第16-34页 |
| 3.1 晶体生长理论基础 | 第16-20页 |
| 3.1.1 熔体中生长原理 | 第17-18页 |
| 3.1.2 晶体生长界面热输运方程 | 第18-20页 |
| 3.2 熔体对流和生长界面 | 第20-22页 |
| 3.2.1 熔体对流 | 第20-21页 |
| 3.2.2 生长界面 | 第21-22页 |
| 3.3 热场设计 | 第22-26页 |
| 3.3.1 设计依据 | 第22-23页 |
| 3.3.2 热场设计注意事项 | 第23-26页 |
| 3.4 工艺步骤设计 | 第26-34页 |
| 3.4.1 引晶 | 第26-28页 |
| 3.4.2 放肩 | 第28-29页 |
| 3.4.3 等径 | 第29-32页 |
| 3.4.4 收尾 | 第32-34页 |
| 4 检测位错的方法分析 | 第34-42页 |
| 4.1 位错原理 | 第34-36页 |
| 4.1.1 位错的影响 | 第34-35页 |
| 4.1.2 位错的来源 | 第35-36页 |
| 4.2 位错的化学择优腐蚀 | 第36-42页 |
| 4.2.1 化学腐蚀的干扰因素 | 第39页 |
| 4.2.2 腐蚀液配置及结果 | 第39-42页 |
| 结论 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
