| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 高压栅极驱动芯片的现状与发展 | 第7-13页 |
| 1.2 高低压兼容工艺的现状与发展 | 第13-18页 |
| 1.3 本论文的主要工作与意义 | 第18-21页 |
| 第二章 高压栅极驱动芯片的高可靠隔离结构研究 | 第21-45页 |
| 2.1 高低压隔离技术 | 第21-27页 |
| 2.2 新型双N阱辅助耗尽Divided-RESURF隔离结构 | 第27-32页 |
| 2.3 高低压隔离结构的高温反偏应力退化研究 | 第32-43页 |
| 2.4 优化后内嵌LDMOS器件的隔离结构的高温反偏应力考核结果 | 第43-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 高压栅极驱动芯片的抗噪能力研究 | 第45-67页 |
| 3.1 抗瞬态v_s负过冲应力研究 | 第45-50页 |
| 3.2 瞬态v_s负过冲提升技术新方法及电路实现 | 第50-52页 |
| 3.3 抗dvs/dt噪声研究 | 第52-59页 |
| 3.4 新型双脉冲电容负载型电平移位电路设计 | 第59-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-67页 |
| 第四章 高可靠600V栅极驱动芯片设计 | 第67-97页 |
| 4.1 输入级电路设计 | 第67-74页 |
| 4.2 脉冲产生电路设计 | 第74-78页 |
| 4.3 欠压保护与延时电路设计 | 第78-83页 |
| 4.4 抗静电保护结构设计 | 第83-87页 |
| 4.5 全芯片电路与仿真 | 第87-89页 |
| 4.6 版图设计与流片 | 第89-95页 |
| 4.7 本章小结 | 第95-97页 |
| 第五章 高压栅极驱动芯片测试与考核 | 第97-113页 |
| 5.1 电学参数测试系统研究与测试 | 第97-106页 |
| 5.2 可靠性测试系统研究与测试 | 第106-110页 |
| 5.3 应用系统测试 | 第110-112页 |
| 5.4 本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 总结与展望 | 第113-115页 |
| 6.1 总结 | 第113-114页 |
| 6.2 展望 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-127页 |
| 博士期间研究成果 | 第127-130页 |