| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-15页 |
| ·Ge 纳米薄膜电输运性质 | 第10-12页 |
| ·Si 纳米薄膜电输运性质研究 | 第10-11页 |
| ·Ge 纳米薄膜电输运性质研究 | 第11页 |
| ·选题依据及研究内容 | 第11-12页 |
| ·Si 基热电材料研究 | 第12-15页 |
| ·不同形态纳米 Si 做热电材料的研究 | 第12页 |
| ·纳米多孔硅和 Si 基声子晶体做热电材料的研究 | 第12-14页 |
| ·选题依据及研究内容 | 第14-15页 |
| 2 样品制备技术与表征技术 | 第15-20页 |
| ·实验设备技术 | 第15-17页 |
| ·IBAD-600 多功能离子注入与离子束溅射设备 | 第15-16页 |
| ·快速热退火系统 | 第16-17页 |
| ·样品的表征手段 | 第17-20页 |
| ·结构和成分表征手段 | 第17页 |
| ·形貌表征技术 | 第17-18页 |
| ·电学表征技术 | 第18-20页 |
| 3 不同退火温度 Ge 纳米薄膜电输运性质研究 | 第20-30页 |
| ·不同退火温度 Ge 纳米薄膜的制备 | 第20页 |
| ·不同退火温度 Ge 纳米薄膜的特性研究 | 第20-29页 |
| ·厚度和结构表征 | 第20-22页 |
| ·形貌表征 | 第22页 |
| ·拉曼光谱 | 第22-23页 |
| ·光学带隙 | 第23-24页 |
| ·电输运性质 | 第24-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 4 不同生长温度 Ge 纳米薄膜电输运性质研究 | 第30-36页 |
| ·不同生长温度 Ge 纳米薄膜的制备 | 第30页 |
| ·不同生长温度 Ge 纳米薄膜的特性研究 | 第30-35页 |
| ·结构和膜厚表征 | 第30-32页 |
| ·形貌表征 | 第32-33页 |
| ·电输运性质 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 5 多孔 Si 的热电性能 | 第36-43页 |
| ·多孔 Si 的制备 | 第36-38页 |
| ·多孔 Si 的特性研究 | 第38-42页 |
| ·结构表征 | 第38-39页 |
| ·形貌和成分表征 | 第39-40页 |
| ·热电性能表征 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 6 用于 TDPC 的 SiO_2微球模板的制备 | 第43-55页 |
| ·SiO_2微球的制备 | 第44-51页 |
| ·实验 | 第44-45页 |
| ·合成 SiO_2的条件 | 第45-51页 |
| ·本节小结 | 第51页 |
| ·SiO_2微球的单层排布 | 第51-54页 |
| ·实验 | 第51-52页 |
| ·SiO_2浓度和沉积方法的选择 | 第52-54页 |
| ·本节小结 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第65页 |