| 内容提要 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·NiO 材料的基本性质 | 第11-17页 |
| ·NiO 材料的结构特性 | 第12-13页 |
| ·NiO 材料的光电特性 | 第13-15页 |
| ·NiO 材料的气敏特性 | 第15-16页 |
| ·NiO 材料的电致变色特性 | 第16-17页 |
| ·NiO 材料的应用及进展 | 第17-21页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 制备 NiO 薄膜的设备及样品表征方法 | 第23-40页 |
| ·NiO 薄膜制备技术 | 第23-30页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第23-24页 |
| ·分子束外延 | 第24-26页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第26-27页 |
| ·原子层沉积 | 第27-29页 |
| ·化学气相沉积 | 第29页 |
| ·溶胶-凝胶技术 | 第29-30页 |
| ·MOCVD 方法的基本原理及设备 | 第30-34页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第30-31页 |
| ·本论文中应用的 MOCVD 设备 | 第31-34页 |
| ·磁控溅射方法的基本原理及设备 | 第34-35页 |
| ·磁控溅射技术简介 | 第34页 |
| ·本论文中应用的磁控溅射设备 | 第34-35页 |
| ·材料及器件的表征方法 | 第35-40页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第35-36页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第36-37页 |
| ·紫外-可见透射光谱（UV-Vis） | 第37-38页 |
| ·霍尔效应（Hall） | 第38页 |
| ·半导体特性测试系统（Keithley4200-SCS） | 第38页 |
| ·电致发光测试系统（EL） | 第38-40页 |
| 第三章 MOCVD 方法制备 NiO 薄膜及其性能研究 | 第40-56页 |
| ·MOCVD 方法 NiO 薄膜的制备 | 第40页 |
| ·生长温度对 MOCVD 方法制备 NiO 薄膜性质影响 | 第40-47页 |
| ·生长温度对 NiO 薄膜表面形貌的影响 | 第40-42页 |
| ·生长温度对 NiO 薄膜晶体结构影响 | 第42-44页 |
| ·生长温度对 NiO 薄膜的光学性质影响 | 第44-46页 |
| ·生长温度对 NiO 薄膜的电学特性影响 | 第46-47页 |
| ·Ni 源流量变化对 MOCVD 方法制备 NiO 薄膜性质的影响 | 第47-53页 |
| ·Ni 源流量变化对 NiO 薄膜的表面形貌影响 | 第47-49页 |
| ·Ni 源流量变化对 NiO 薄膜的晶体质量影响 | 第49-51页 |
| ·Ni 源流量对 NiO 薄膜的光学特性影响 | 第51-53页 |
| ·Ni 源流量对 NiO 薄膜的电学特性影响 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-56页 |
| 第四章 磁控溅射方法制备 NiO 薄膜及其性能研究 | 第56-75页 |
| ·磁控溅射方法 NiO 薄膜的制备 | 第56-57页 |
| ·溅射温度对磁控溅射方法制备 NiO 薄膜性质的影响 | 第57-62页 |
| ·溅射温度对 NiO 薄膜的表面形貌影响 | 第57-59页 |
| ·溅射温度对 NiO 薄膜的晶体质量研究 | 第59-60页 |
| ·溅射温度对 NiO 薄膜的光学性质的影响 | 第60-61页 |
| ·溅射温度对 NiO 薄膜的电学特性影响 | 第61-62页 |
| ·氧氩比对磁控溅射方法制备 NiO 薄膜性质的影响 | 第62-67页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜表面形貌的影响 | 第62-64页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜的晶体质量的影响 | 第64-65页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜的光学特性的影响 | 第65-66页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜的电学特性影响 | 第66-67页 |
| ·溅射功率对磁控溅射方法制备 NiO 薄膜性质的影响 | 第67-72页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜的表面形貌影响 | 第67-69页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜的晶体质量研究 | 第69-70页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜的光学特性影响 | 第70-72页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜的电学性质的影响 | 第72页 |
| ·本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 NiO 薄膜材料相关的光电器件研究 | 第75-98页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·MOCVD 方法制备的 NiO 薄膜在半导体光电器件中的应用 | 第75-90页 |
| ·n-ZnO/i-NiO/n-GaN 异质结器件的制备及特性分析 | 第76-80页 |
| ·n-ZnO/i-NiO/p-GaN 异质结器件的制备及特性分析 | 第80-87页 |
| ·n-ZnO/i-NiO/p-Si 异质结器件的制备及特性分析 | 第87-90页 |
| ·磁控溅射方法制备的 NiO 薄膜在光电器件中的应用 | 第90-97页 |
| ·p-NiO/n-GaN 异质结器件的制备及特性分析 | 第90-95页 |
| ·n-ZnO/p-NiO/p-Si 异质结器件的制备及特性分析 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 结论 | 第98-103页 |
| 本论文的创新点 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-111页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第111-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
